全球96层3D NAND产量将自2019第二季开始扩大
1.原文连结：
http://bit.ly/2WKcHRC
2.原文内容：
由于，市场预期96层3D NAND的全球产量将自2019第二季开始扩大，这可能将会为今年的
SSD市场与价格带来更多变量。自2018年以来，快闪存储器价格一直在下跌，主要原因是
64层及72层3D芯片的供应增加。预估至今年(2019)年底，快闪存储器价格甚至会跌至每GB
不到0.1美元的新低价。
因此，主要NAND厂商已经开始放慢产能扩张的步伐。然而，新一代96层3D NAND产量的脚
步似乎仍不停歇。据IDC最近报告，全球NAND flash市场的QLC比率，预计将从2019年的3%
上升至2023年的22%。
SK海力士甚至开发出1TB容量的QLC芯片。SK海力士开发出基于96层4D NAND技术的1TB容量
四级单元（quadruple level cell；QLC）芯片，这款高度整合的产品，具更大的资料储
存容量，也为SK海力士的全面NAND内存事业揭开序幕。SK海力士于2019年5月9日宣布，
新产品的样品已经提供给固态硬盘（SSD）控制器制造商。这项产品可视为现有96层电荷
储存式快闪存储器（CTF）4D NAND及QLC设计技术的结合。
此外，SK海力士将4D NAND的优势应用于一个四平面架构(a four-plane structure)，成
为一个小平面。该平面是在一个单元及其周边电路中独立工作的单元组合。SK海力士的新
产品能够同时在四平面处理64 KB资料，而现有产品只能同时在两平面处理32KB资料。
SK海力士正计画透过新产品QLC软件开发算法和控制器，以便尽快推出解决方案产品。
内存领导大厂三星电子方面，已于2019年1月宣布推出970 EVO Plus系列固态硬盘，采
用三星自家Phoenix控制器，快闪存储器芯片从64层堆叠V-NAND TLC升级为96层堆叠
V-NAND TLC。同时，三星已经大大提高了其96层3D NAND产品的良率，已经量产并用于
Galaxy Fold上的512GB UFS 3.0就是基于该技术。三星还计划于今(2019)下半年推出用于
QLC的96层制程技术的新解决方案。
另外，TOSHIBA最近推出了利用96层3D制程技术的新一代产品和UFS 3.0产品。美光开发了
96层再加工设备技术，计画2019年第二季批量生产。
3.心得/评论：
2019年96层3D NAND 的产能势必增加，SK海力士、三星、TOSHIBA及美光纷纷加入，尤其
是SK海力士推出96层4D NAND技术QLC芯片，揭示SK海力士欲在内存全方位的站稳地位。