1.原文连结：
旺宏携手IBM 合作开发相变化内存
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2.原文内容：
2018-12-25 DIGITIMES/ 韩青秀
内存厂旺宏决议与IBM签订合约，将继续共同合作开发相变化内存。旺宏董事会也通
过资本支出约新台币8.65亿元。
旺宏曾于10月通过新增资本支出预算达到新台币142.03亿元，预计自2018年第4季起陆续
投资，以因应公司12吋晶圆厂之高阶产能提升及研发需求。董事长吴敏求表示，将主要把
晶圆5厂的制程从36奈米升级至19奈米，并强化储存型快闪存储器(NAND Flash)竞争力，
同时将投入3D NAND Flash研发。
此次董事会再次决议，通过2019年新增经常性资本支出预算新台币8.65亿元，属于公司一
般经常性资本支出，例如品质提升、资讯安全、工安、效率等多项用途。
旺宏董事会也决议与IBM Corporation签订合约，继续共同合作开发相变化内存，持续
投入开发先进技术，合作计画时程预计2019年1月22日起至2022年1月21日。旺宏指出，分
担研发费用，对长期技术竞争力有正面影响。
旺宏与IBM已有长期合作开发，其相变化内存 (Phase-change memory，PCM) 为非挥发
性内存，被视为可望成为通用型非挥发性内存，旺宏曾于2015 年时与 IBM 共同发表
一颗 512Mb 相变化内存样品。PCM 具备包括读写速度快、耐用、写入次数极高 (至少
1000 万次)、微缩性良好等优势，被预期将在储存科技中扮演重要角色，包括手机、电脑
与人工智能产业等。
3.心得/评论：
旺宏近年来业绩大幅成长，2018年前3季合并营收279.72亿元，年增18.3%；税后纯益
61.25亿元，超过2017全年总和，并且相关产品已成功打入车用高阶NOR Flash市场，旺宏
未来可望在2019年持续扩大营收。现在旺宏继续与科技大厂IBM合作投入开发先进技术，
且相变内存PCM非常适合低功耗环境，也是AI引入IoT设备和边缘运算应用的重要产品。