此话内容，稍读了一下就发现一些不对劲，就此拿出来跟大家分享。
本文(如连结) 在此转述:
”….艾司摩尔至今尚未公布EUV机台的耗电功率，但世界第二大内存制造商、韩国的SK
海力士曾在2009年的EUV Symposium表示，EUV的能源转换效率（wall plug efficiency）
只有0.02％左右。这个数字现在广为业界引用。也就是说，当前最先进的EUV机台能输出2
50瓦功率的EUV，需要输入0.125 万千瓦的电力，这个耗电量是传统氩氟雷射的10倍以上
。
….”
这句话，我稍微找了一下，原来作者是从EUV lithography的英文版wiki看到的
(连结: https://goo.gl/gdFqtx)，其中的”source requirement”这一段中提到”... T
he required utility resources are significantly larger for EUV compared to 193
nm immersion, even with two exposures using the latter. Hynix reported at the
2009 EUV Symposium that the wall plug efficiency was ~0.02% for EUV, i.e., to
get 200 W at intermediate focus for 100 WPH, one would require 1 MW of inputp
ower, compared to 165 kW for an ArF immersion scanner…”
然后接着我就去把hynix这一份pdf找出来(如连结: https://goo.gl/maveV1) 的第24页，
有了! 但上面写得又跟本文写得不一样，上面是说当转换率只有0.02%时，EUV输出200W时
需要1MW却不是本文中提到的0.125 万瓩。
而作者在本文的阐述事实上就是依据这样的计算的基础上做议论，但是这是2009年的数据
，太老了，根本不是作者宣称的所谓”0.02%这个数字现在广为业界引用”的情况。
我们来看去年最新的EUV HVM的进展，我举两篇，
[1] https://goo.gl/osSM3e
和[2]https://www.euvlitho.com/2016/P34.pdf
都是用~20KW的输入功率就可以达到200W的输出功率，其中的转换效率也已经到了1%，远
比作者引用旧的资料的0.02%高了50倍了。
而文中，冷却EUV产生的废热事实上是用水循环不是用电，所以会耗费水资源，但冷却完
后的水几乎可以再重复使用，所以相关影响不大，但文中硬要把冷却也讲成耗电的主要来
源，这样已经是故意误导了。
半导体科技一日千里，作者居然去查了一下wiki就用8年前的资料来做文章，真的是贻笑
大方!!
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