KIPO：3D内存专利申请数量每年超过300件
新闻来源：http://bit.ly/2ZmWcfq
本文：


由于中美贸易战导致半导体价格下跌以及半导体行业的不确定性增加，3D内存作为未来
技术逐渐受到关注。在此同时，相关专利申请数量也呈现急剧上升的趋势。
根据韩国知识产权局(KIPO)于2019年6月6日发布，2013年之前与3D内存相关的专利申请
数量每年仅有150个，但从2014年开始迅速增加，每年提交的申请量超过300个。
从过去五年3D NAND的专利申请，韩国国内公司占申请总量的78.6%，海外公司占21.4%。
这是因为三星和SK海力士在相关技术的开发上投入了大量资金，以便与内存半导体领域
的二线公司保持一定的技术差距。
高宽带内存是由硅通孔(TSV：through silicon via)互连，再堆叠成若干层DRAM所制成
的多层内存半导体。它已成为下一代半导体开发的技术，因为它具有低功耗和高速数据
处理能力，并且容易于与GPU等系统半导体连接。三星和SK海力士占高宽带内存应用申
请专利的81.4%，而海外公司主要包括台积电、英特尔和美光。
3D内存技术是一种半导体制造方法，透过堆叠半导体元件来将每单位面积的储存容量做
到最大化。非挥发性内存领域中的3D NAND快闪存储器和易挥发性内存领域中的高宽
频内存是由3D内存技术建立的代表性半导体。这种3D NAND Flash内存模组，主要
被广泛应用于人工智能、虚拟现实，及需要大数据存储领域。
3D NAND闪存记忆半导体，目前，已可大规模量产96层3D NAND快闪存储器。