[新闻]韩国KAIST之FinFET胜诉、三星判赔4亿美元
[来源]https://bit.ly/2IehX8h
[内容]
关于FinFET 制程专利纠纷，韩国科学技术院KAIST指控三星、Global Foundries、高通等
三家被告专利侵权案，于2018年6月15日美国德州东区法院陪审团评决侵权成立，侵犯其
中一件专利US6,885,055，并对三星需判赔 4 亿美元。陪审团评决内容：
(1) 三家被告皆侵犯专利US6,885,055 之Claims 1-6, 11-13, and 15-17
(2) 争专专利US6,885,055并未无效。
(3) 三星被评决恶意侵权'055专利。
(4) 以优势证据而评决公正合理地赔偿KAIST损失，陪审团判赔三星需支付4 亿美元，而
另两家被告Global Foundries、高通则赔偿金0元。
因目前，三星被评决恶意侵权成立，法官是否会再判三倍赔偿可能高达12亿美元？仍待观
察。
对本案陪审团评决后，iKnow之观点：
本案后续是否将扩大影响到台积电(TSMC)，还要观察。现在，KAIST已取得法院背书，证
明专利有效性，同时，竞争对手Intel也取得KAIST授权使用FinFET制造芯片，证明该技术
在美国具有产业要件。而另两家被告Global Foundries、高通，虽侵权却被判0元赔偿金
，很可能与原告KAIST达成某种协议。
FinFET专利技术将是半导体厂必争之地，而KAIST IP具韩国官方色彩的机关，他的下一步
棋如何走，很是关键，可能牵动台韩美之半导体版图变化。