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美上诉法院驳回Semcon半导体晶圆研磨制程专利无效判决：Semcon v. Micron
2016年8月19日，美国联邦巡回上诉法院（CAFC）合议庭判决（Semcon Tech, LLC v. Micron
Technology, Inc., 2015-1936），以仍存在重大事实争议问题（genuine issue of material
fact）为由，撤销一审专利无效简易判决命令，并将本案发回地院重审。一审中，地院仅
依据被告声请及专家证人证词之裁量结果，来做出系争专利受占先而无效之简易判决，并
未检视及讨论原告专利权人主张。本案特点在于CAFC二审判决并未尝试就案件实体争议做
出讨论及裁决，而仅以程序瑕疵为由将本案发回地院，多少反映美国联邦最高法院要求CAFC
尊重下级法院裁量结果及仅需确认前者是否有误之趋势。
一、本案背景
本案为美国德州一家专利授权公司Semcon Tech LLC，2012年4月27日向德拉瓦州联邦地院
控告英特尔（Intel）、IBM、三星（Samsung）、德州仪器（Texas Instruments）、美光
科技（Micron Technology Inc.）、富士电子材料（Fujifilm Electronic Materials U.S.A.
Inc.）、格罗方德（GlobalFoundries）以及台积电（TSMC）等晶圆代工大厂，侵害其所持
有、与半导体晶圆化学机械研磨（chemical-mechanical polishing，CMP）制程技术相关
专利。Semcon所发起诉讼资讯，可参考本网站科技产业资讯室报导 “晶圆 CMP 制程专利
侵权，Semcon Tech控告Intel、IBM、Micron、三星等公司”：
本案专利为美国专利编号7,156,717，名称“原位晶圆研磨控制”（[In] situ finishing aid
control），2007年获得核准，优先权日为2001年9月20日，发明人为Charles J. Monlar，
后于2011年11月移转给Semcon。717专利主张一种利用电脑来控制半导体晶圆研磨加工过程
来降低晶圆厚度之方法，其中并使用传感器来监测晶圆厚度等资讯，并据以调节控制参数
。
二、一审判决专利无效
被告美光科技在其侵权诉讼（Semcon Tech LLC v. Micron Technology Inc. 1:12-cv-00532）
中主张717专利受到美国专利编号6,010,538所占先。538专利名称为“透过辐射通讯链路来
监测和控制化学机械研磨过程的原位技术”（In situ technique for monitoring and
controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication
link），优先权日为1996年1月11日，主张发明亦为一种利用传感器所测得数据来调控半导
体晶圆研磨过程之方法，故对717专利构成占先之可能性极高。一审中，717专利是否受到
占先之主要争议问题，在于717专利请求项1要件“一处理器用于测量原位制程资讯与轨道
资讯…并依据前述所感应资讯，来调节多项控制参数”（”a processor to evaluate the
in situ process information and the tracked information… changing a plurality
of control parameters in response to an evaluation of both the in situ process
information… and the tracked information . . . during at least a portion of the
finishing cycle time”）是否受到538专利所占先。其中，承审法官将“轨道资讯”解释
为“半导体晶圆在进行研磨以前之相关资讯”（“pre-polishing information about the
wafer being polished that is associated with the wafer”），其中包括该晶圆初始
厚度；“原位制程资讯”则被解释为“正进行化学机械研磨过程半导体晶圆之相关资讯”
（“information that is sensed from the wafer currently undergoing CMP [chemical-
mechanical polishing]”）。地院最终采用被告美光之专家证人证词，裁定717专利受538
专利占先而无效。原告提出上诉，主张地院在前述争议判断上有误，其中特别是在“原位
制程资讯”与“轨道资讯”此两项叙述部分。
三、二审判决：发回地院重审
二审合议庭认为，538专利内容并未明确叙述电脑参考“轨道资讯”（未研磨晶圆之初始厚
度）来监控调整研磨速率，538专利说明书解释该研磨速率乃透过传感器测量固定时间内研
磨除去之材料量而得出，此些证据，或可能得出538专利并未同时揭露前述两项资讯之有利
原告结论，且对此被告专家证人证词存在自相矛盾之处（被告专家证人一方面承认538专利
说明电脑无需参考晶圆初步厚度资讯来计算研磨速率，然又宣称538专利揭示研磨速率乃依
据晶圆初步厚度来计算）；另一方面，尽管原告Semcon仅就被告专家证人分析提出反驳主
张，并未出示任何专家证人证词来主张717专利未受到占先，然此一情形仍不足以构成发布
专利无效简易判决之充分理由。依据前述，合议庭认为本案仍存有重大事实争议问题，需
地院重新考虑。
四、评析
本案上诉结果，使专利流氓Semcon于2012至2013年所发起之多件诉讼重获机会。二审合议
庭处理本案之方式，颇类似10月7日Apple v. Samsung（2015-1171, 2015-1195, 2015-1994）
一案联席判决情形，皆显示CAFC倾向于遵循联邦最高法院2015年Teva Pharms., Inc. v.
Sandoz, Inc.（135 S. Ct. 831）一案所述原则，一改过去迳自讨论并决定案件实体争议
之全面重审（de novo）做法，仅确认一审证据纪录及法官或陪审团事实发现是否支持其法
律结论，以及适当尊重下级法院裁量权，亦即确实扮演上诉法院角色及职能。