※ 引述《mrme945 ()》之铭言：
做
: 检验(Failure Analysis)的结果出来之后才知道可能的原因
: 以下为前述大客户内线流出关于此故障事件的叙述：
: -这次事件的根源，是作为抗氧化的隔离涂层氮化钽(TaN)在原
: 子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)的过程中出错了，
: 造成CPU当中via里的纯铜氧化，使得电阻提升，并造成后续故
: 障***
TaN一般是叫做扩散阻障层
主要作用是防止铜与硅直接接触
形成铜硅化合物
抗氧化很少听过
ALD是一种化学气象沉积
算一种通化学气体沉积方法
假设这一步出错
导致部分Ta被氧化
那他的电性应该出厂前就验出异常
应该不会用了好几个月后才劣化
假设他有部分氧气吸附在TaN上
之后再镀铜那些少量的氧应该也是很快反应掉
另外就是扩散阻障层太薄或不够致密
导致IMD(通常是氧化硅）中的氧慢慢渗透进去造成氧化～～但这可能性我觉得不高
因为通常这样
应该会先形成铜硅化合物（这样应该会整颗烧掉）
如果随时间导致电阻升高
那电致迁移有可能～～
不过这应该再RA测试中被抓出来
不过RA我记得都要测好几个月
可能intel太急了没做确实吧