台积电 2 奈米制程采奈米片 Nanosheet 技术，与英特尔／三星竞争
作者 Atkinson | 发布日期 2022 年 06 月 09 日 11:00 | 分类 IC 设计 , 芯片
外媒《Extremetech》报导，晶圆制造的 FinFET 电晶体技术是自 2011 年以来开始使用，但随着节点不断缩小，FinFET 电晶体技术将被别的技术取代。台积电更新技术蓝图指出，准备好生产 2 奈米时，就会转向奈米片 (Nanosheet) 晶体管技术，英特尔和三星也宣布类似计画。
《EEtimes》报告讨论台积电未来计画，今年底开始 3 奈米量产，确认 3 奈米制程不会采用奈米片技术。奈米片是种环绕栅极 (GAA) 晶体管，有浮动晶体管鳍、栅极围绕故得名。之前英特尔宣布 RibbonFET 计画，技术就类似奈米片。台积电预计 2 奈米奈米片量产 2025 年开始，但英特尔蓝图是 RibbonFET 于 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米制程转向奈米线 (Nanowire) 制程，并宣布上半年量产。
比较台积电和英特尔量产时程，据经验“量产”定义略有不同。英特尔产品上零售市场前，较短时间就宣布量产。台积电是向客户销售产品，客户自行整合，因此台积电宣布量产到商用化产品出现需较长时间。
台积电不会短时间内开始量产 2 奈米制程，因预定 3 奈米制程将使用较长时间。业务开发资深副总经理张晓强指出，台积电 3 奈米制程将成为受欢迎节点，并是长节点，会有大量需求。但从 3 奈米到 2 奈米，因电晶体架构，奈米片对提高节能和计算效率有独特优势，观察客户产品，要求计算性能更高节能效果者，将首先转向 2 奈米制程。届时台积电还将与 2 奈米制程一起销售 3 奈米制程。
三星已在进行 GAA 技术 3 奈米制程，似乎会使三星处于领先地位。然而市场分析师认为，太早脱离 FinFET 可能会吓到高通和辉达等客户，因只要有重大技术转变，就很可能出问题，尤其产量时，可能刺激客户停在 FinFET 技术 3 奈米制程，或等到 GAA 技术设计更成熟再采用，使台积电受惠可同时销售 3 奈米和 2 奈米制程。
尽管如此，逐步脱离 FinFET 技术应使芯片晶体管密度和效率显著进步。三星指出，与 7 奈米制程技术相比，3 奈米的奈米线设计晶体管密度提高 80%，还提高 30% 性能或提高 50% 节能效率。
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