IBM 和 Samsung 新的电晶体技术可以突破 1nm 以下芯片
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IBM 和 Samsung 在美国旧金山举行的 IEDM 国际电子元件会议上，共同发表名为
Vertical Transport Field Effect Transistors（VTFET）的新芯片设计，是把电晶体以
垂直方式推叠，电流也会以垂直的方式通过，与今天通常是以水平方式摆放的不一样。但
为什么要这样设计呢？据指有两个主要好处，一是个这能突破“摩尔定律”对于 1nm 晶
片设计的的瓶颈，而更重要的是提升电流并可以减少能源的消耗。
据计算，VTFET 在与 FinFET 电晶体设计相比，能把处理器速度提升两倍，但同时能耗就
减少了 85%。以实用性来说，手机的续航力会最终延长至充一次、使用一周！甚至如果用
于挖矿 cryptomining 的用途，就能大大减少区块炼、加密货币等技术对环境的影响。
不过这次 IBM 和 Samsung 并没有透露什么时候会以商用产品上应用 VTFET，只是市场上
才不只有他们拥有突破 1nm 的技术，因为 Intel 在 7 月的时候就表示已经完成设计，
同时更目标在 2024 年就开始推出“埃”时代的芯片。