(原文被狼啃光)
OPP：过功率保护，属于一次侧的保护机制，侦测到一次侧MOSFET电流超额达到设定门槛
电路会停止工作，避免超出MOSFET的SOA(安全运作区)导致炸机
SOA：安全运作区，典型MOSFET SOA会由导通内阻、脉冲电流、最大功率、热稳定度、
崩溃电压这五个主要因素包起来，在设备的电路设计阶段要考虑进去
设备平常运作中常影响SOA的是温度及电流，当运作区域温度提高，或是电流突然增大，
SOA区域会改变，这时如果SOA安全余裕抓得太刚好，一超出就很容易炸机
MOSFET温度升高时，能够承受的电流值会降低，就会出现原本在冷机下可以运作的，
温度提高时若超出SOA，就相当容易炸机
OCP：过电流保护，属于二次侧的保护机制，侦测到3.3V/5V/12V输出电流达门槛
电源管理IC会停止一次侧电路的运作。理想来说OCP会小于OPP，但依照目前电源设计
为12V功率级加上DC-DC转换3.3V/5V设计，加上单路12V的设计，12V过电流
保护(OCP)动作点大约等同于过功率保护(OPP)动作点，
有些电源的电源管理IC只负责侦测输出电压是否正常，直接用一次侧OPP充当12V OCP
OCP/OPP保护的用意就是停止电源继续超额输出，同时不造成电源内伤，
如果会造成内伤甚至损坏，那就是表示范围设计不适当，或是有其他的问题
在下测试手法属于步进法，也就是12V/1A为单位手动往上加，加到电源触发保护停机，就
当作是TRIP点
每篇文章测试流程：10%/20%/50%/100%效率→纯12V输出3.3V/5V/12V电压变化与
效率(超额至110%)→红外线热影像1→12V OCP/OPP测试→12V瞬抽测试(评估中)→
综合输出3.3V/5V/12V电压变化与效率(超额至110%)→红外线热影像2→偏载测试→
上升/保持时间测试→动态负载测试
在下测OCP/OPP会在电源热机下进行，并验证两次，所以如果测试OCP/OPP会内伤的话，
那第二次与之后的测试就会炸机了(笑)
在下最近测试过的电源，12V过电流截止点如下：
NZXT C850：12V过电流截止点在105A(150%)
Cooler Master V650 SFX GOLD：12V过电流截止点在78A(144%)
thermaltake TOUGHPOWER PF1 850W：12V过电流截止点在99A(141%)
EVGA 1000 G5 1000W：12V过电流截止点在92A(110%)
Fractal Design ION Gold 850W：12V过电流截止点在93A(131%)
MICRONICS SFX-L 700PT 700W：12V过电流截止点在79A(135%)
be quiet! DARK POWER 12 1000W：单路模式下12V过电流截止点在102A(122%)
be quiet! DARK POWER 12 750W：单路模式下12V过电流截止点在82A(132%)
be quiet! PURE POWER 11 FM 750W：12V过电流截止点在85A(136%)
Sharkoon SILENT STORM COOL ZERO 850W：12V过电流截止点在106A(149%)
COUGAR GEX1050：12V过电流截止点在116A(133%)
FSP Dagger Pro 750W：12V过电流截止点在78A(125%)