KIOXIA 宣布研发 HLC NAND 颗粒 储存密度比 QLC 高 50% 　PE 不到 100 次
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KIOXIA (前身为 TOSHIBA) 宣布正投入研发 HLC NAND Flash 颗粒，相较现时的 QLC
NAND Flash 颗粒，其存储密度将提升 50%，同时堆叠层数亦会提升至 600~1000 层，虽
然预估量产后 PE 寿命将不到 100 次，但由于存储容量会相当夸张，这意味着很久才会
写满一次 SSD。
随着 NAND Flash 的演进，现在 SLC、MLC 颗粒已基本上消失在家用 SSD 产品中，目前
是由 TLC 与 QLC 为主流，并且开始向着 PLC 前进，所谓的 PLC 就是每 Cell 存储 5
bits，要储存更多的资料就需要更多的电压层级。
举例 QLC 是电压层级就有 24 即 16 个不同电压状态，PLC 则是 25 是 32 个，如果要
提升至 HLC 则需要 26 高达 64 个电压层级，这对于 NAND Flash 控制器来说是极大的
挑战，因此 64 个不同电压讯号需要非常准确不能出现干扰，否则资料就会出现错误。
虽然技术难度非常高，但 HLC 的存储密度比 QLC 要高出 50%，对于厂商们来说是非常吸
引，不仅每 GB 成本会进一步下降，同时而意味储存容量会大幅提升。
虽然 HLC NAND Flash 的 PE 寿命将不到 100 次，但由于堆成层数会大幅增至 600 至
1000 层，HLC NAND Flash 存储容量会相当夸张，意味着很久才会写满一次 SSD，能放
入更多的 Cold Data。