SK 海力士抢先量产业界首款 128 层 4D NAND Flash
https://technews.tw/2019/06/26/sk-hynix-128-layers-4d-nand-flash/
作者 MoneyDJ | 发布日期 2019 年 06 月 26 日 16:00 | 分类 国际贸易 , 内存
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韩国内存大厂 SK 海力士（SK Hynix）26 日宣布，
将开始量产采用 128 层 4D NAND 型快闪存储器（NAND Flash）
技术的 1TB 三阶储存单元（TLC），
不仅储存密度达业界最高，而 SK 海力士也是全球首家商业化规模生产的业者。
韩联社周三报导，这款 128 层堆叠的 4D NAND Flash 预计下半年开始出货。
据 SK 海力士表示，TLC 规格芯片具有出色的性能和可靠性，
目前占 NAND Flash 市场比重 85% 以上。
SK 海力士指出，若采用 128 层的 1TB NAND Flash，
使用在 1TB 容量产品的 NAND 芯片数量将减少一半。
随着堆叠层数持续跃增，NAND Flash 容量也大幅成长，
SK 海力士表示，已着手研发下一代 176 层 4D NAND Flash。
韩联社 4 月 3 日报导，
韩国芯片巨头三星电子（Samsung Electronics）
和 SK 海力士 2018 年继续维持在全球半导体市场的领先地位。
根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）最新调查，
三星去年 NAND Flash 销售额为 221.9 亿美元，全球市场市占率达 35%，高居第一；
日本东芝（Toshiba）以 19.2% 市占率排名第二；
SK 海力士市占率 10.6%，排名第五。
Pulse News 21 日报导，由于芯片产业持续低迷和中国需求放缓，
韩国出口额已连续第 7 个月呈现骤降。
据韩国海关 21 日公布的最新数据，韩国 6 月 1~20 日的出口总额为 272 亿美元，
比去年同期下降 10%。
其中，占出口总额 17% 的半导体出口额大跌 24.3%。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：SK 海力士）