[情报] 全球96层3D NAND产量将自2019第二季开始

楼主: kimula01 (Dior_Homme)   2019-05-15 12:28:36
全球96层3D NAND产量将自2019第二季开始扩大
原文来源网址:
http://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=15583
由于,市场预期96层3D NAND的全球产量将自2019第二季开始扩大,这可能将会为今年的
SSD市场与价格带来更多变量。自2018年以来,快闪存储器价格一直在下跌,主要原因是
64层及72层3D芯片的供应增加。预估至今年(2019)年底,快闪存储器价格甚至会跌至每GB
不到0.1美元的新低价。
因此,主要NAND厂商已经开始放慢产能扩张的步伐。然而,新一代96层3D NAND产量的脚
步似乎仍不停歇。据IDC最近报告,全球NAND flash市场的QLC比率,预计将从2019年的3%
上升至2023年的22%。
SK海力士甚至开发出1TB容量的QLC芯片。SK海力士开发出基于96层4D NAND技术的1TB容量
四级单元(quadruple level cell;QLC)芯片,这款高度整合的产品,具更大的资料储
存容量,也为SK海力士的全面NAND内存事业揭开序幕。SK海力士于2019年5月9日宣布,
新产品的样品已经提供给固态硬盘(SSD)控制器制造商。这项产品可视为现有96层电荷
储存式快闪存储器(CTF)4D NAND及QLC设计技术的结合。
此外,SK海力士将4D NAND的优势应用于一个四平面架构(a four-plane structure),成
为一个小平面。该平面是在一个单元及其周边电路中独立工作的单元组合。SK海力士的新
产品能够同时在四平面处理64 KB资料,而现有产品只能同时在两平面处理32KB资料。
SK海力士正计画透过新产品QLC软件开发算法和控制器,以便尽快推出解决方案产品。
内存领导大厂三星电子方面,已于2019年1月宣布推出970 EVO Plus系列固态硬盘,采
用三星自家Phoenix控制器,快闪存储器芯片从64层堆叠V-NAND TLC升级为96层堆叠
V-NAND TLC。同时,三星已经大大提高了其96层3D NAND产品的良率,已经量产并用于
Galaxy Fold上的512GB UFS 3.0就是基于该技术。三星还计划于今(2019)下半年推出用于
QLC的96层制程技术的新解决方案。
另外,TOSHIBA最近推出了利用96层3D制程技术的新一代产品和UFS 3.0产品。美光开发了
96层再加工设备技术,计画2019年第二季批量生产。(865字;图1)
[注解]
QLC是在NAND每单元中存储四位元(four-bit)资料,是资料存储的最小单位。NAND快闪记
忆体分为SLC(每单元存储一位元资料)、MLC(每单元存储二位元资料)、TLC(每单元
存储三位元资料)以及QLC(每单元存储四位元资料),换句话说,相同区域,QLC的资料
存储容量是SLC的四倍。QLC允许在同一区域内更高程度的整合,因此,高容量产品可以大
大降低成本。然而,这需要非常高程度的单元整合在一片如指甲大小的芯片中,十分不易
,1TB的QLC需要2748亿个IC单元。
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SSD准备下半年正式开启低价大容量时代了
可能下半年以后手机256G起跳 SSD装机碟变512G起
贵又慢的中小容量HDD真的越来越没市场
不过看到海力士就会想到N500.......
我看我还是等美光或是TOSHIBA颗粒好了

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