BiCS4是48+48层堆叠而来，并非一次堆叠96层。
好处是每次堆叠48层是成熟制程，搞定两次堆叠的对准问题以及相关的流程设计(比方说
第二次蚀刻要怎样才能不伤害第一次对叠的结构)，就会有96层的产品。
BiCS5我认为是64+64而来的128层，目前业界并没有能一次做到128层的产品，因此toshib
a的BiCS5应该会是最高层数产品。
下一个世代应该是192(96+96)，我想这部份可能会是三星先做出来。
另外就是CMOS under ARY (CuA)的技术，让原本不容易微缩的晶粒面积更进一步的缩小，
也少了很多平坦化(CMP)的难度，最早是在IM 32层(更正)的产品上看到的。这个技术应
该会越来越长听到。海力士的4D NAND，多出来的1D就是CuA。