外媒报导称WD和Toshiba已经开发出了128层@ 512Gbit容量的3D NAND（又称TLC）
如果沿续此前的命名习惯，我们可以把它叫做BiCS-5 。因为BiCS-4为96层，BiCS-3为64
层。与BiCS-4颗粒相比
新技术额外多出的32层，能够轻松将容量提升1/3、从而大幅降低制造同等容量终端产品
的成本。
相关产品有望在2020年末投产，并在2021年实现量产。据悉BiCS-5采用了阵列下电路（
CuA）设计
其中逻辑电路位于芯片的底部，数据层堆叠在它的上方。与非CuA 技术相比
芯片尺寸可缩小15％ 。与96 层的BiCS-4 相比，BiCS-5 可让模具总体缩小23％ 。
将这部分空间释放之后WD和Toshiba将能够利用四平面（相较于传统的双平面）
将颗粒性能提升两倍。模具将分为四个平面或部分，允许独立或并行访问，吞吐量可达
132MB/s
相比之下三星的110+层芯片，只有83MB/s 的吞吐量。
BiCS-5颗粒能够在1.2Gb/s 的IO频宽下执行，读取延迟低至45 微秒
此外WD使用4KB页面来访问128层芯片上的数据，而不是行业传统所限的16KB 标准页面。
来源
https://www.cnbeta.com/articles/tech/825151.htm
XF编译
https://www.xfastest.com/thread-226424-1-1.html
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