DRAM 微缩已到极限，新内存 MRAM、ReRAM 等接班？
韩媒 BusinessKorea 16 日报导，韩国半导体业者指出，16 奈米将是 DRAM 微缩制程的
最后极限，10 奈米以下制程需要缩小电晶体体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不
适合采用高介电常数（High-K）材料和电极。MRAM 和 ReRAM 因此备受期待，认为可以取
代 DRAM 和 NAND Flash，业者正全力研发。
两种新内存都是非挥发性内存，切断电源后资料也不会消失，速度比现行内存快上
数十倍到数百倍之多，由于内部构造较为简单，理论上未来微缩制程也有较大发展空间。
其中 MRAM 采用磁阻效应（Magnetoresistance）技术，研发业者有 SK 海力士（SK
Hynix）、东芝（Toshiba）。ReRAM 则靠着绝缘体的电阻变化，区别 0 和 1，外界认为
或许能取代 NAND 型快闪存储器（NAND Flash）。
http://technews.tw/2015/06/17/mram-reram/