携手解决内存频宽问题，AMD 与 SK Hynix 宣布共同发展 HBM 内存堆叠技术
vr-zone by: Tony.Chiu
随着结盟开发带来更快进入商业化应用的可能性，3DIC、TSV 将会
是未来克服效能瓶颈相当重要的技术。
3DIC、TSV（Through-Silicon Via）等听起来相当艰涩的制程技术
，现在有机会更快进入我们的消费级产品之中。主要是因为 AMD 与 SK
Hynix 日前已经宣布正式结盟合作，对 HBM Memory Stack 高频宽记
忆体堆叠技术进行开发。
目前芯片堆叠技术在 FPGA 或是影像感应器上已经有相当的应用，
可惜在主流电脑市场上还是有待开发。
随着频宽、更高度的集成化的需要，HBM（High Bandwidth Memory
）以及 3D STACKED 这类堆叠技术将可以大大解决这些问题，目前这些
技术在内存标准制定组织 JEDEC 也即将进入完备的阶段。
AMD 与 SK HYNIX 未来将会针对 HBM 以及 3D STACKED 技术合作
；HBM 适合用在 GPU 或是网络芯片上，而 3D STACKED MEMORY 适合在
主内存的使用。两家厂商表示，HBM 预计将首见于 GPU 应用，然后
才会进入网络技术与 HPC 高性能计算领域中，预计与标准的 DDR4 相
比，HBM 将会缩减 37 倍的大小与减少 30% 的功率消耗。
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心得:
又一个完美简报