台大与日本开发新元件 内存储存密度有望提升
2020-10-10 17:04 联合报 / 记者潘乃欣／台北即时报导
台湾大学化学工程学系教授陈文章与日本北海道大学工学研究院教授佐藤敏文（
Toshifumi Satoh）长期合作，成功利用有机奈米材料开发出高性能光应答记忆
体元件，有助开发次世代有机光驱动元件的材料设计及应答机制。研究成果近期
刊登于材料领域国际期刊Advanced Materials。
陈文章说，现有应用的内存技术着重于透过微缩技术及三维堆叠方式，以因应
对于其效能与储存密度不断增长的需求，在制程高度复杂化的情况下，逐渐产生
开发技术困难和制备成本过高等问题。
相较之下，次世代有机光电元件具有低成本、易于大量制造、可挠曲等特性，近
年来引起广泛的研究兴趣。但它在操作电压、应答速度及长期稳定性仍有待突破
。
台大表示，陈文章长期致力开发内存材料及元件，2017年首度提出光感型无机
／有机复合物浮动闸极概念，开发以光作为开关的内存元件，对不同的光波长
有可调控性，并具备复数位元储存特性。
陈文章与佐藤敏文合作多年，共同开发有机奈米材料，应用于有机光应答内存
元件，透过分子设计开发具共轭硬杆—柔曲链段的P型及N型材料，作为电荷储存
的光感性浮动闸极，所开发的电荷储存材料与半导体层具有相同核心共轭结构。
材料的柔曲链段扮演电荷阻隔角色，所开发元件可在0.1伏特的极低电压操作下
，记忆开关比例最高可达105倍，其光驱动范围更接近涵盖全可见光谱 。
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