※ 引述《hs417 (hs)》之铭言：
: iPhone 7 - 苹果不想告诉你的秘密
: 先上影片 https://www.youtube.com/watch?v=7xphXeu6DeI
: 内容大意就是32G的iPhone 7跟256G的iPhone 7有什么不一样
: 事实上在我看影片之前我的认知就仅储存空间不同而已
: 但没想到看完影片之后，信仰果然无极限
: 这发生在安卓上被抓包应该被电翻了
: 不过也许安卓也有这样的事情，只是目前我还不知道而已XD
: 纯讨论，勿战
: 不过即使用更夸张的偷料，iPhone还是会卖翻
: iPhone还是当今无可撼动的霸主
趁鲜赶紧回 免得搞到有些人爱酸酸错
这是小鲁第一篇爱疯文呢
首先见到有人说costdown 实际上比较像是倒过来
苹果15年内部自己设计了使用PCIe界面的SSD控制器给Mac
去年升A9和A9X时候 顺道把控制器移植给行动装置 爱疯的储存界面就换成PCIe线路搭NVMe协议 PCIe需要更多的并行线路占去主机板更大空间 自己开发制造SSD控制器也说不上是降低成本 还得折腾把SOC和NAND摆更近
相较下同一时期安卓旗舰开始也从eMMC转移UFS界面 结果速度是被苹果大杀四方 因为苹果用的是桌机的规格
这回苹果没在A10的储存速度上宣传 anandtech测试结果是和A9差不多 在行动平台上 爱疯储存界面依然是最快的
说说储存速度是怎么回事吧 首先手机只有一定的空间 一般只会塞一颗NAND储存晶体 手机搭在64/128/256GB的NAND 占去的空间是没啥差异的
除了半导体制程持续演进外 储存厂商也演化出能在同样面积同样制程NAND晶体内尽其量扩大能储存位元的方式 传统的称为Single Layer Cell, 新方案有Multilayer Layer Cell, Triple Layer Cell
SLC就是在一个储存细胞内储入高电或低电压 读出来就成了0/1
MLC就是分辨四种电压 等于塞入SLC双倍位元
TLC能分辨八种电压 等于SLC的三倍位元
最快最稳定最抗衰退的自然是SLC 只需能达成分辨/打入高低电压两个状态就好 控制器作业也相较最简单
SLC MLC TLC
16GB 32GB 48GB 容量
3.00 0.90 0.60 1GB批发价
最快 中等 最慢 速度
这时会想说 怎么在iPhone 6S & 7 理论上最慢的256GB [说相较下比较'烂'也行] 测试结果反而最佳
大家推断是苹果额外用小容量的SLC当缓存 搭配较慢的大容量TLC 每次写入的时候都先入SLC缓存再转入TLC 只要SLC缓存够大还没用完 TLC还来得及写入 写入需求不持久 测试到的都是优秀的SLC性能
尚不清楚的是 苹果在较低容量的64GB手机上有没有做出SLC cache来搭配SLC/MLC/TLC呢 (应该没有) 若有 其SLC缓存大小应当是比较少 所以一般测试就给出'大容量苹果手机比较快'的结论
多举一个例子 刚上市的#phonebygoogle 使用UFS2.0界面的Pixel也出现了类似情况 某项写入数据飙破表 是同为UFS前辈6P的10倍有余 只是还不晓得谷歌使用的方案是硬件或软件cache
那影片抱怨说苹果店员没跟你说大容量比较快 额, 说了算诈欺吗 还是要话花十分钟向顾客说明 说了九成顾客也听不懂的NAND原理 不是苹果不告诉你 而是告诉了有多少人懂 多少人在意