原来中国是这样“突破”的! 前三星工程师爆料：长鑫窃核心技术“零自主研发”
Newtalk新闻 郑长发综合报导
根据韩国媒体《每日经济》（Maeil Business Newspaper）近日报导，韩国首尔中央地方
法院近日审理一起涉及半导体核心技术外泄的重大案件。一名曾在三星电子服务长达 28
年、后来参与中国内存芯片制造商长鑫存储（CXMT）创立的全姓工程师，日前在法庭公
开作证，披露长鑫存储在成立初期即大规模引进三星专利技术并窃取其制程资料。
据 X 平台 @whyyoutouzhele 引述《每日经济》报导，全姓工程师在庭讯中证实，长鑫存
储于 2016 年成立初期，包含执行长（CEO）与首席技术官（CTO）在内的高层管理团队，
即已规划取得三星电子的 DRAM 核心制程资料，而非完全由零开始进行自主研发。全姓工
程师表示，当时长鑫存储“既没有研究所，也没有设备”，因此采取高薪挖角韩国半导体
人才的方式推动营运。
报导进一步指出，随后三星 18 奈米级 DRAM 的“制程配方计划”（PRP）遭泄露给长鑫
存储，内容涵盖约 600 道关键制造工序、设备参数及具体制程条件。据悉，三星电子为
开发该项技术，曾历时约 5 年，并投入高达 1.6 兆韩元（约新台币 367.8 亿元）的研
发经费。
韩国检方指控，长鑫存储取得相关关键资料后，将三星的制程资讯转换为适用于中国当地
工厂设备的生产参数，以省去大量研发与试错时间，并成功实现 DRAM 的商业化量产，更
借此将其包装成突破西方封锁的“民族骄傲”。目前，长鑫存储已成长为全球第四大
DRAM 制造商。韩国法院正就相关证词与事证展开审理，此案预计将对国际半导体智慧财
产权争议产生深远影响。
https://newtalk.tw/news/view/2026-08-27/1056061