1.媒体来源:中时
2.完整新闻标题:联电TSV量产 获超微芯片订单
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晶圆代工厂联电（2303）昨（20）日宣布，超微新推出的旗舰级绘图卡Radeon R9 Fury X
，采用联电直通硅晶穿孔（TSV）技术，并已在联电新加坡12吋特殊技术晶圆厂Fab 12i量
产出货。
联电2013年时将位于新加坡的12吋晶圆厂Fab 12i，打造为引领先进特殊技术研发制造的
基地“Center of Excellence”，该特殊技术中心导入包括包含背照式CMOS影像传感器（
BSI CMOS）、嵌入式内存、高压应用产品、TSV等技术，让联电充分掌握跨入新市场的
契机。
超微日前正式发表研发代号为“Fiji”的绘图芯片，首创将高频宽内存（HBM）整合至
芯片上，并基于Fiji芯片发表新一代Radeon R9 Fury X系列绘图卡。Fiji芯片是超微采用
全新架构的绘图芯片，享有史上最高的绘图芯片内存频宽，首创将HBM整合至芯片上，
带来较GDDR5高出60％的内存频宽，同时采用崭新4096位元内存接口，每瓦效能为
GDDR5的4倍。
其中，超微Radeon R9 Fury X绘图卡中采用的绘图芯片，采用了联电TSV制程及晶粒堆叠
技术，在硅中介层上连结超微提供的HBM规格DRAM及绘图芯片。
联电市场行销副总暨TSV技术委员会共同主席简山杰表示，超微致力于将顶尖绘图芯片带
入市场，这次量产里程碑彰显了联电与超微在TSV技术上紧密合作下的成果，未来联电期
盼与超微继续携手合作。
超微资深院士Bryan Black表示，Radeon R9 Fury X从开始研发到量产阶段，联电皆采用
创新技术打造客户产品，这是超微选择联电合作硅中介层及相关TSV技术的关键因素。联
电此次顺利将TSV技术运用在超微最新的高效能绘图芯片上，再次证明了其坚实的专业能
力，很荣幸能拥有联电作为超微的供应链伙伴，协助推出全新Radeon系列产品。
超微提供的绘图芯片与HBM堆叠晶粒，皆置放于联电TSV制程的中介层上，透过CMOS线路重
布层（redistribution layer）与先进的微凸块（micro-bumping）技术，这些芯片之间
可于中介层彼此连通，因此得以实现Radeon R9 Fury X绝佳的效能与面积。(工商时报)
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