Body effect: 在body施加比S极更低的电压 空乏区往通道延伸
空乏区变大 使阀值电压(Vt)变大
short channel effect:在D极施加高电压 D极的空乏区变大
通道变短 使阀值电压(Vt)变小
疑问是:两者空乏区都会变大 通道变短
一个使Vt变高 一个使Vt变低
问一下差别在哪 希望高手解惑谢谢

一个是基板不是接地电位 一个是通道因为电压变大空乏区扩增使电子通道长度变短阿看错了 短通道是因为通道尺寸变小所以空乏区的占比相较长通道大 所以会明显影响Vt简单来说Body effect跟通道尺寸无关 短通道效应在通道很小的时候才会比较明显影响 详细的还是去看书吧Neamen的书写的算白话也有中译版了

谢谢a大 我会再去看书 不过body effect会使空乏区变大应该也会影响通道长度才对 这点还是不懂

大概的讲法是：闸极不只要先能建立空乏区，而且要能控制与它下方整个空乏区电荷量相等的电荷，通道然后才能够建立，因此BE越严重，Vt值就越大。当汲极电压够大，汲极控制的空乏区就会深入闸极下方跟闸极争抢MOS的控制。此时元件长度若太短，闸极电压将无法完全控制MOS的关闭，而汲极空乏区够大，甚至延伸至源极空乏区，还导致DIBL，此时无需闸极，横向电场就足以让汲极直接从源极吸引载子造成漏电流，这就相当于是Vt值下降。

谢谢L大 讲法很合理