※ 引述《Emerson158 (红豆 X 八嘎 X 乌鲁赛)》之铭言：
: 以下有
: 漫画《新石纪》微雷
: 不喜
: 请快左转
: (防雷页)
: 总之,
: 他们一路杀到印度-这个新人类跟数理异常强的诡异之国,
: 找到龙水的兄弟,叫什么来着 .. 窝也忘了
: 但是龙水弟根本不想上什么太空,
: 他只哀伤数千年后的蛮荒地球没有电脑 ..no CS no Life..
: 问了千空:可以做出一台电脑吗?
: 千空回:
: "半导体是地狱阿"
: "需要5年,不,10年的时间"
: 10年.. 半导体业做10年,身体都..
: 半导体产品有多难做阿?
: 千空他们会做硅晶圆半导体? 还是直接杀进III-V族化合物半导体呢?
: 由千空亲自turn参数吗?
避免读者不是产线三宝，内容不会太深，也可能和实际有点差异
不管硅晶圆制造和封装，单讲在硅晶圆上面长各种device好了
假设今天只要做1种工作电压的N和P型电晶体，配线只做1层
以应该是各家通用的标准65奈米制程为例，整个制程大概可以分成下面几个loop
1. Device分割
2. Vt-Well离子布植
3. 闸极(Gate)氧化膜(OX)、多晶硅(Poly)成膜、闸极蚀刻
4. LDD离子布植、侧壁(Spacer)成长、蚀刻
5. 源极(Source)、汲极(Drain)离子布植
6. 金属硅化物(Silicide)成长
7. 配线成长
懒得画图了，借用一下维基的图
做到6结束，Device大概会长成这个样子
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:LDD-MOS_transistor_-_CMOS_with_STI.svg
以下稍微更详细一点的说明，搭配图片和想像力服用(不想看的可以end了)
1. Device分割
为了让device之间的工作讯号不要互相干扰，要把它分开来，维基的图里面就是STI
这个loop最重要就是长出这个STI。从一片平平的什么都没有的硅晶圆开始，要：
a. 先长氧化硅(SIO)、后长氮化硅(SIN)
b. 光阻涂布、微影、显像
为了把之后要做STI的地方打开来，用刻好的光罩对准后曝光，利用被光线照射与否
来分成显像的时候光阻是否会被洗掉或留在晶圆表面上
显像完以后图中STI的部分没有光阻，就是裸露的硅晶圆上1-a叠出来的膜
其他地方跟STI的差异就是上面有覆蓋光阻
c. STI蚀刻
1-b结束之后先挖掉SIN，再挖SIO，最后想办法挖硅晶圆一路挖到最深
d. STI填充
用SIO填满STI，但同时刚刚没被挖掉的SIN上面也会有一堆SIO
所以要用研磨的方法把多余的SIO磨掉，磨到SIN露出来为止
SIN露出来以后再把SIN拔掉，Device的分割就完成了
现在的硅晶圆上面会被STI插满，让之后Device会乖乖长在被STI围起来的范围
2. Vt-Well离子布植
这边比较简单，就是用一些杂质，从上面打进图里面看到p-doped well和n-doped well
所以需要
a. 光阻涂布、微影、显像
一次只能打一种well，所以要先用光阻把没有要打的那一边关起来这次先打p-doped
那就把n-doped关起来，p-doped打开来
b. p-doped离子布植
就打离子而已
c. 拔光阻
打完以后的光阻没用的要把它拔掉
d. 光阻涂布、微影、显像
p-doped打过了就关起来，把n-doped打开来
e. p-doped离子布植
就打离子而已
f. 拔光阻
打完以后的光阻没用的要把它拔掉
现在STI中间有很多n或p-doped well了
3. 闸极(Gate)氧化膜(OX)、多晶硅(Poly)成膜、闸极蚀刻
现在要做图中gate oxide和poly silicon
a. 先长Gate Oxide、再长poly silicon
现在整个硅晶圆表面上都被这两层膜覆蓋
b. 做n+doped和p+doped的poly silicon
纯净的poly silicon导电度太低，需要掺杂一些杂质，做法跟2-a到2-f一样
开一边打一边，就不再赘述
c. 长SIO
光阻不够坚固，不能忍受长时间的蚀刻，所以先长一层SIO
d. 光阻涂布、微影、显像
把要留下凸出来Gate形状的部分留下光阻
e. Gate蚀刻
先挖SIO，再挖poly silicon，再挖没有被poly覆蓋的Gate oxide
这时候poly上面的SIO也会顺便一起被挖掉
闸极(Gate)做好了
4. LDD离子布植、侧壁(Spacer)成长、蚀刻
a. LDD离子布植
现在要做n/p-doped well上面往gate oxide靠近的n+/p+部分，做法跟2-a到2-f一样
gate oxide正下方不会离子的原因是因为被poly silicon挡住离子就不会打进去
b. 侧壁(Spacer)成长、蚀刻
长SIN、SIN蚀刻
看似很无意义，但是因为SIN不会平坦的长，而会随着Gate的起伏成长
然后因为蚀刻具有方向性，只会向下
所以最后可以让SIN变成图里面silicon nitride spacer的样子
5. 源极(Source)、汲极(Drain)离子布植
这边很简单，做法跟2-a到2-f一样，不再赘述
会比较深比较没有往中间靠近是因为打得比较用力
还有因为上面被spacer挡住，所以离子不会跑去中间
6. 金属硅化物(Silicide)成长
这边也比较简单，用金属(钴或镍)原子打在已经做好device的整片晶圆上
然后加热到特定温度，利用金属只会和多晶硅、单晶硅形成硅化物
不会和SIN、SIO形成硅化物的特性，让silicide就只会长在Gate, Source, Drain上
到这边结束后已经跟图片长一模一样了
7. 配线成长(这边开始配这张图https://tinyurl.com/6pkt5pe7 )
配线基本上分成两个部分，一种是水平方向的叫做Metal，一种是垂直方向的叫做Via
配线就是靠一层via一层metal这样一直叠叠乐到该接的都接起来为止
然后跟最下面Device连接的Via又叫做Contact
a. 绝缘层成膜、研磨
图中紫色的部分就是绝缘层，先在整片晶圆表面都覆蓋绝缘层
然后因为绝缘层也会随着gate的起伏而起伏，所以要研磨成平的
b. Contact微影、蚀刻
用微影把要做Contact的地方(灰色短棒状)露出来，其他地方用光阻盖住
把要做Contact的部分挖洞
c. Contact金属成膜、研磨
整面长金属上去
但是连绝缘层上面也会长满金属，所以用研磨把不要的地方磨掉，磨到绝缘层露出为止
d. 绝缘层成膜
再盖一层绝缘层上去
e. Metal微影、蚀刻
用微影把要做Metal的地方(灰色长条状)露出来，其他地方用光阻盖住
把要做Metal的部分挖沟
f. Metal金属成膜、研磨
整面长金属上去
但是连绝缘层上面也会长满金属，所以用研磨把不要的地方磨掉，磨到绝缘层露出为止
接下来要更多层配线的话就重复更多次7-a到7-f就好，基本上代工厂里面的事情就这样
以上面这种device种类数来说，每个loop大概会有的stage数量是
1. 12
2. 6
3. 11
4. 8
5. 6
6. 4
7. 11
共58个stage，最后会留在成品上的材料应该有8种
把不会留在成品，但和制程直接相关的材料算进来应该至少10种以上
种类上不算太多，硅、铝还好，但是要在石之世界找砷、硼、磷之类的东西可能比较难
制造难度上来说，不管他们要不要做无尘室
第一个会碰到的问题应该是要怎么抽真空，这个应该之前做真空管就干过了也还好
第二个比较麻烦的是跟硅有关的反应温度大概都在摄氏1000度以上
可能得动员全村的人，才有办法建一台碳高炉，来产生这么高的温度
真的建出来了，就会发现成品全部被碳污染，只有一坨垃圾而已
所以如果我是千空的话，与其自己想半导体怎么做
不如想办法量产一堆复活液，划船到台湾，从新竹开始一路倒到台南
把GG和二哥的厂随便挖几个挖出来，叫复活的人全部滚回去轮班
以后就有源源不绝的半导体可以用了

那个 我知道的MOS 是汉堡那个

内容不会太深？呜呜还是看不懂

肝坏掉石化再复活就修好惹 GG轮班救世界

这个发去八卦应该比较多人推

自己Google…

以为走错板

推专业 这部有些部分有点困难

补推

原来原串是158啊 这真的不用认真回了 他就一直问一些可以google的问题

还以为走错版！认真给推

噢噢噢，太专业以至于看不懂= =

跟我想的一样哈哈直接复活员工比较快

这只教科书上的一般通则实际制程更复杂整个FLOW是上千道

感觉前置科技树要点太多了，例如无尘室又是一堆前置科技树，这个科技产业要成熟的都会体系才能慢慢孕育

补充一下，更实际的说法是半导体是需要完整“产业链”的，要能够使用生产出来的”chip”你还得需要更前段的设计与更后段的封装，所以这个命题其实就实现面来说几乎不可能成功

推最后一段

推专业

你这个才是真解法 不然靠他们自己怎么可能弄出来

漫画分镜画个十年后就完成了

别忘了 这是漫画.jog

JPG啦～

轮班才是真的

反正不管怎么解释最后产线三宝都只能被酸 哭哭

只有人复活没用啊，问题在器材在千万年后都烂光了

轮班星人:好不容易解脱了谁跟你继续轮班

这还只是制作方式 往下延伸还有器材跟原物料的问题喔例如我们公司做的石英器具也是牵扯到一堆原物料跟产业然后要达到GG的要求在尺寸跟纯度上都花了很多时间克服

结论: 重建产线(X) 复活产线(O)

我们是要求完全不能有金属污染喔XD中间氟酸不知洗多少次了

那还得先去美国跟欧洲把仪器商复活XD

这个问题简单啊，吃书让产线也一起被石化可以连op带机台一起复活就好惹

石器时代的第一颗半导体芯片，大概会是760奈米的制程

应该是光电所的毕业生吗XD

嗯嗯，跟我想的一样

机台和原料本身也是一堆精密仪器做的，整个是工艺金字塔

因为得从红外线做起，从8位元单芯片开始

还以为走错版+1

慢慢的把工业化的设备跟上

另外光能稳定供电供水现代就有一堆国家办不到

顺便提一下铜制程好吗？那个可是最关键转捩点之一，觉得仅次于泡水鸡

笑死，被石化也要被挖起来轮班XD

先复活居礼夫人

哦

简单一点 徒手画4004单芯片 不难，才两千多个电晶体

你做这么难的干嘛 退回去BJT时代好吗

台湾现在有哪家做出真的能做量产的半导体设备吗...

推专业

轮班星人真的不会崩溃吗？？？

跟漫画认真什么 那部省略了超多东西好吗--

是说复活台湾人好像蛮有可能的 都去印度复活数学人才了.

产线三宝表示看不懂呀！

以为走错版

推专业

推

马的大硕选错边被IBM坑死 结果直接走远让GG一人独走20年

你说的对

轮班工程师：我可以石化回去吗？就算复活那些厂的员工，设备和原料搞不好都坏了如果还没坏，那干嘛不直接去捡现成的成品

这篇用心推

其实你没提到最重要的其实是实现这些技术的机台然后制造这些机台的精密机械技术又是一回事了

要去哪里挖原料呀

看看对岸都搞不起来的EUV

其实这一大串的人都有一个很大的误解 火箭需要的运算技术并没有想像中需要现代这种微缩芯片才能办到

你半导体系？

现实的火箭发射上月球那时用的计算装置比现代简易多了

我以为我在科技版

做晶圆有多难喔…你就想把同一张纸放进打印机重复100次印一条线

原来最快的方式是把产线复活啊

然后100次出来线还是一条

话说回来,我听学弟提过,他以前在实验室手工跑制程的故事,还蛮不可思议的.不过他本人在TSMC待20年了,应该是有点说服力的

现在的一台手机运算能力就超过登月时全世界的总合

先推

就跟古早人手工炼钢差不多意思

电脑小型化对火箭还是很必要啦 不然火箭光送导航电脑上去就饱了

产线没有保存著吧？都风化了吧，只有人被石化

以从业人员来讲,先不用讨论晶圆代工制程.

不过对从头发展来说，这种精密的高科技产业，优先权不会太高

只有轮班星人复活 但没有机台怎么办

上月球就算是现在也没多少国家能做到

从无到有光拉出晶棒,切成晶圆就一堆问题.

而且还要设备 真的不如去复活人还比较快

产线是为了大量且稳定的制程而设计的自动化流程,不是绝对

要晶圆纯度够,高温及真空环境要怎生?你得先从超强马达开始做起...

当然一定是有技术门槛的,但有很多地方其实是可以用人工跑的

一片wafer 一开始一堆defect,后面是要做屁.

光是温控就有问题了

原来GG轮班不只救台湾 还救世界

物理上的defect 如particle,或是电性上的defect

文组看不懂怒嘘

推

文组看不懂就安静看戏

dislocation 之类的. 做一颗元件特性全跑光.

复活轮班星人的脑袋就比千空屌惹，故事会有破绽阿

推

原来最后一段才是重点啊XD

蚀刻的化学物要生出来也有难度

你把半导体厂管线放著37天不用都会出事了 3700年没开工

专业

讲的都是中文 却都看不懂

不要说37天,只要一停复线一堆流程你就哭死了.我们的岁修,基本上还是有在运作.只是把量能降低.

3000年还有机器可以用吗？，无尘室也没办法吧

那种不全停的假岁修我只会送他一句 我X你X有些基础中的基础物件年限到了就是该停下来换偏偏就是有人爱偷那几天产能 然后未来出大事再来检讨

嗯嗯跟我想的差不多

原始世界bang不出化合元素呜呜 可能用祖灵合成吧呜呜呜

抱歉 我走错了

推专业

推专业和推文

我真的没走错版

太深奥了

推专业 但最后一段放过他们的肝吧

硬要夹杂一些可以翻作中文的英文

笑死 楼上呛翻中文的真的是太好笑了原PO不用理那种只会呛不翻中文的可怜人

很多用词虽然有中文，但是翻得...搔不到痒处，还是用原文才能理解

事实上和客户以及支援厂商开会英文才是共通语言

打全英文我也看得懂，我只是不喜欢这种中英夹杂的方式罢了，那些又不是只有英文的专有名词…这样也要被笑

我只看的懂中文，原来科技业要会讲英文 囧

这跟公司文化比较有关联啦！有的人刚进去就是用某个特定用语，就会觉得其他用语很诡异没什么对错

看得懂英文 但不喜欢各种语言夹杂+1科技业怎么可能不用会英文...

唸硕士读paper才知道很多专有名词翻成中文反而会搞不懂意思

还有一点，你没有vender可以扣我看你机台可以run多久

不要一本正经回158的废文

科技业就这样讲话 爽啦

请问泡水鸡(机)是指什么?

半导体的难度太难了，不要看GG这样操，你待过业界就知道为什么要这样轮

没有曝光机 作了个寂寞

即便是中文我还是看不懂

看过介绍良率很重要

祖先跟你托梦抱怨他被拉起来轮班的那档事

中英夹杂非常正常好吗 谁沟通时还有空把专有名词翻译成中文

是啊,开会讨论像IDsat/Vt/mismatch/Ioff 谁会讲中文BJT/MOS.双极性电晶体/金属氧化物半导体场效电晶体当然讲英文.

嗯嗯 跟我想的差不多

这些买书来看就懂了 有兴趣的 推荐萧宏的半导体制程技术 跟VLSI制造技术这两本

想太多 没机台没材料 台湾轮班星人才不会处理这种

这些专有名词翻成中文反而会更难懂

用心整理给推，但有些关键字非电机、电子系的应该是看不懂，稍微简单对关键字做些注释会更好XD比如后面对 STI 跟 LDD 、P/N 参杂的杂质半导体之类的都是当读者默认懂，这就不一定对每个人的阅读都足够友善了XD

mm等级的话基础工业做上来就可以了啦 不一定要纠结在nm

懂丸

这注释不完啦 不懂半导体的可能连gate source drain 是什么都不知道了XD

先推免得别人以为我看不懂

这建完之后应该可以招祖灵轮班就好了吧

看不懂 但是很有趣 给推支持

我想做半导体。 先弄电脑。 那需要半导体！ 去做半导体！ 但那需要电脑！ 去做电脑！ .jpg

对一般人还是满难懂的吧

我是觉得这个已经尽量中文了，哪里中英混合

新石纪的良率都100%的,这不是问题

有些东西不翻中文是因为翻了根本没意义啊，device翻设备你也不会看得比较懂，这种在产业的特殊用法最好不要翻

这里是西...

没vender 没洗净设备 良率...

肝硬化就在石化回去无情轮班

推专业 虽然我看不懂就是了QQ

在科技业抱怨看到中英夹杂是认真的吗XDD

太专业了，难消化QQ，推

不是相关科系的根本开不懂吧

结论笑死XDDD

复活轮班XD

我觉得先从最基本的真空管开始做起吧，反正简单空间又够

笑ㄌ

不用硬要做65阿 找个18或35 问题会少很多

专业！

说得不错

记得先复活机台的设备商员工

原来如此，我懂了（←什么都没懂）

我还以为我走错

抱怨科技业中英夹杂的状况，刚开始前一两年也很不习惯，后来觉得很多专有名词用中文翻译去讲很别扭/绕口，用英文赶快带过烦人的会议才是真理

我只看得懂后面复活那段..

哭啊 轮班才是真的

结论完美xD

推个 很专业

刚以为自己走错版了

嗯嗯跟我想的一样

看知识学西洽 这很西洽

会中英夹杂是因为半导体专有名词翻成中文会很长一一

恩 完美理论 我也是这样想

跟某市长那种假掰晶晶体意义是完全不同的

stone age用的是很古早得的半导体吧

农学院崩溃O皿O

我进错版了？？？

最后的结论XDDD

会硬把特定英文翻成中文的是哪间学店的菜鸡

推

天呀我在西洽版看到晶圆的专业文 我在做梦吗？

这领域讲话塞英文完全正常…翻译后超怪

这是哪里我在哪

快推免得别人认为我看不懂

最近看到一个影片说英文语系说话是在站讲者的身份，为了让听的人好理解，会解释的特别清楚有逻辑，功能性上和中文语系上刚好相反，会夹杂英文在专业文章里其实不是坏事不用再二次翻译让听的人去猜到底在讲啥

发明复活术比较快

这也是为什么有人会觉得看原文书比看中译本好懂的原因

会对中英混杂有意见的 我想大概非业界的文科生吧 看到两种语言混杂才会很气

划船到台湾真的笑死 超级合理

而且就算制程的东西都搞好了 在设计方面又是一个大工程没有EDA tool的辅助 要一个一个逻辑闸去组成 根本疯了

这种文也有人能扯政治？笑死

笑死 被复活起来轮班

中英混杂要看情况，原po也有举反例了，不是每个混杂都不好，只是科技业这类重逻辑的行业，用英文语系的思考模式会混杂英文单字在里面是有他们的原因的

混杂语言并没有问题啊，因为那是固有专业名词，不好翻译。

中英文混杂是英文专业领域的缩写太多例如生医领域的PCR DNA Ct值 用中文全名很长

CMP，是化学机械研磨机问你要讲前者还是后者

嗯嗯 跟我想的一样

EE：我选择石化，拜托不要叫我

跟我想法差不多

嗯嗯，跟我想的一样

那些英文没办法吧，我觉得已经很收敛了有的就是用英文才最准确，有的是学校教授跟公司主管都叫你这样讲

Fa 灰烬复活啦 轮班... 躺回去好惹 不想传火救世界惹

对不起我进错版了…不过既然只是要电脑应该作出原始真空管的就行了吧？

不用到65nm 我看光是particle 连1um都有问题了

推

我看懂（结论）了

别以为死了就可以解脱，给我起来轮班

最后结论是来台湾复活产线笑死XDDD

下一回复活台ㄐㄐ员工

讲那么多你还没提到测量模型跟方式的建立，只会在做也是瞎子摸象