不敌中国扩产！SK海力士减产成熟DRAM 80％ 三星受害最大
〔编译魏国金／台北报导〕韩国经济日报报导，由于中国竞争对手大幅提高产量，致使价
格下滑，韩国两大内存制造商三星电子与SK海力士，正大幅缩减传统内存芯片，尤其
是DRAM的产量，后者计画今年底其DDR4 DRAM的产能将只剩20%。
报导说，全球最大与第二大内存制造商三星电子与SK海力士，也计画扩大高频宽内存
（HBM）与企业级固态硬盘（eSSDs）等先进产品的产量。
半导体产业独立分析师奈斯泰德（Dan Nystedt）对此指出，从营利结果而言，中国的竞
争对三星电子的伤害，更甚于SK海力士与美光。与此同时，拥有AI技术者将大幅领先缺少
相关技术者。
他补充，在过去，三星与SK或许能提高产量、压低价格，迫使中国业者倒闭，但北京愿意
承担大幅亏损，以扶植自己的半导体产业。与中国投入在半导体的资金相较，美国与欧盟
的芯片法规模显得微不足道。
报导指出，三星在近期的财报上表示，该公司计画削减传统DRAM与NAND快闪存储器的产量
。三星设备解决方案（DS）副总裁Kim Jae-joon说，“我们正下调通用DRAM与NAND快闪记
忆体的产量，以符合逐渐下滑的市场需求”。
业界消息人士1日透露，SK海力士在近期与高盛举行的投资人关系会议上说，将降低其
DDR4 DRAM芯片产能，从6月的40%、9月的30%到今年底剩20%。
三星与SK此举正值Google与中国百度等科技巨头持续投资服务器，致使服务器DRAM的需求
稳定，但PC DRAM芯片的销售却停滞。市场研究公司集邦科技将其第4季PC DRAM的价格预
测，从9月上升3%至8%下调至持平。
产业数据显示，服务器DRAM一片荣景，其价格因AI驱动设备的需求强劲，价格节节上涨，
反观PC与智慧手机的DRAM价格却稳定下滑。与此同时，传统DRAM与HBM等先进新产品的价
格差距也在扩大。
报导说，此价差扩大主因在于中国长鑫存储增加其DDR4与LPDDR4X等传统芯片的产量。集
邦科技指出，中国的内存制造商预料今年底前将掌控11.8%的DRAM市场，从第1季的
10.1%上升。
目前长鑫存储已成为全球第4大DRAM制造商，其月产能从2020年的4万片扩大至16万片，预
计今年底将进一步扩大至20万片，明年底达30万片。摩根士丹利预测，今年底长鑫存储的
DRAM产量将占全球逾10％。
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