https://udn.com/news/story/7333/8233652
大陆制DUV生产65奈米芯片硬扯8奈米 遭中外媒体打脸
林宸谊
大陆工信部9月初公布的“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）”的
通知中，列出全新自制DUV曝光机，分辨率为5nm，套刻精度nm，让许多大陆民众乐
翻，高喊大陆突破美国封锁，“可生产8奈米芯片”。
没想到却惨遭中外媒体打脸，认为此款新的DUV曝光机仅能生产65奈米或以下芯片，有人
看到“套刻8nm”就认为这是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。
大陆科技媒体“芯智讯”报导，根据大陆工信部公布的资料显示，“积体电路生产装备”
项目列出氟化氪曝光机和氟化氩曝光机，氟化氪曝光机就是老式的248奈米光源的KrF曝光
机，分辨率为10nm，套刻精度5nm；氟化氩曝光机则是193奈米光源的ArF曝光机（
DUV曝光机），但揭露的这款仍是乾式DUV曝光机，而非更先进的浸没式DUV曝光机（也称
为ArFi曝光机）。
从工信部揭露的参数来看，此DUV曝光机分辨率为5nm，套刻精度nm。虽然相比之前
上微的SSA600曝光机有所提升（分辨率为90nm），仍并未达到可以生产28奈米芯片的程度
，更达不到制造什么8奈米、7奈米芯片的程度，许多网友直接把套刻精度跟曝光制程节点
水平搞混。
报导指出，65nm的分辨率，代表能够达到的制程节点大概就是“65奈米”左右。有人一看
到“套刻8nm”就认为是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。
套刻精度则指的是每一层曝光层之间的对准精度。众所周知，芯片的制造过程，是将很多
层的曝光图案一层一层的实现，并堆叠而成。一层图案曝光完成后，需要再在上面继续进
行下一层图案的曝光，而两层之间需要精准对准，这个对准的精度就是套刻精度，并不是
指能够制造的芯片的工艺制程节点。
科技媒体“WccfTech”则认为，大陆新公布国产DUV曝光机至少落后美国15年，因为荷兰
半导体设备巨擘 ASML 的客户，至少在 2009 年就可以透过ArF 曝光机生产芯片。