台积电2奈米将采用哪种技术？
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根据台积电8月25日线上举行2020技术论坛，随着台积电7奈米(nm)已广泛生产和5nm的大量制造步入正轨，3奈米厂正在南科厂兴建中、并将新建特殊制程与先进封装厂，规划2022年下半年进入3nm量产，并宣称已经开始了2nm的初步研究阶段。
虽然，台积电并未说明在2nm具体会采用哪种技术，但根据国际元件设备和系统技术蓝图(The International Roadmap for Devices and Systems ; IRDS) 在2018年名为 "More Moore"（指的是摩尔定律的持续扩展）的章节中描绘了先进节点技术未来预期的发展：
IRDS预期GAA FET (Gate-all-around FET) 和FinFET将在3nm共享市场，GAA FET将在2nm时取代FinFET。LGAAFETS 指的是侧向闸极全环FET (lateral gate-all-around FETS)，也就是传统2D处理器中的GAA FET。Vertical GAA FET将用于尚待开发的3D电晶体结构中。
令人惊讶的是，IRDS预测193nm微影制程技术( lithography)的部署远到2034年仍会看到。本来以为EUV已经征服了所有前缘节点的市场，但在报告中没有找到支持该论调的解释。
IRDS预测高数值孔径 (High-NA) EUV正进入部署阶段。NA数值孔径指的是系统可以接受任何角度发射光(emitted light)的范围。因此，开发较大角度范围以支持EUV有效剂量的光学系统已成为当务之急。也就是说，高数值孔径的替代方案是转向发展Multi-patterning（多重曝光）EUV。IRDS预测，将看到高数值孔径系统首先在2nm部署。
3D堆叠技术预计不会有太大变化，晶粒到晶圆 (die-to-wafer) 和晶圆到晶圆 (wafer-to-wafer) 将部署在3nm节点上。预测下一次重大节点转变在2028年将引入一套新技术。
目前还不清楚性能上会有什么样的提升。根据台积电的说法，5nm节点对于密度来说是一个巨大的飞跃〈提高了80%〉，但对于功耗〈1.2倍等速性能〉和性能〈1.15倍等速功耗〉来说，只有很小的差距。这些对于重大的节点转变来说是非常小的进展，意味着我们不应该期待仅依靠节点密度的转变，是无法带来大量的性能提升。目前还不清楚，这是否会成为新常态还是只是短暂的停滞。
值得注意的，IRDS基于他们在2018年做的预测，而推估2025年推出2.1nm、2028年推出1.5nm。IRDS宣称并不清楚英特尔、台积电或三星将推出先进节点的确切时间表。随着5nm在2020年推出，可以合理推估在2022年推出3nm，在2024 - 2025年推出2nm。
预计未来的一个趋势，英特尔和AMD正在设计新的功能，以继续提高性能， Chiplets、HBM、EMIB、Foveros以及类似的技术都可以推动更高的性能，而不需要依赖传统式更小的电晶体、更低的电源电压等。目前，业者反而需要投入大量的资源来优化材料工程和电路布局，以此来提高性能或降低功耗。
在台积电2020技术论坛，魏哲家表示将整合旗下包括SoIC(系统整合芯片)、InFO(整合型扇出封装技术)、CoWoS(基板上芯片封装)等3DIC技术平台，命名为“TSMC 3DFabric”，也在今年明显突破技术瓶颈，预料将在明年(2021)下半年量产使用。