AMD技术长：7奈米芯片制程设计史上最困难
据《V3》报导，AMD (AMD-US) 的技术长 CTO Mark Papermaster 近期表示，AMD 转换到
7 奈米制程是近几代芯片设计以来最困难的路程，也指出需要使用新 CAD 工具及多项设
计改变。
Papermaster 表示，AMD 的第二代及第三代 Zen 系列将采用 7 奈米制程，而这项制程将
会带来较长的“节点”(node)，与其把标准模组重新设计，得把整个系统与蓝图整理一遍
。7 奈米的晶体管连接方法较特殊，导致 AMD 得与半导体厂更密切的合作。为了减少自
对准四重图案 (self-aligned quadruple patterning，SADP)，2019 年以后的半导体厂
将倾向于极紫外光刻 (Extreme UV，EUV)，这可减少所需的磨具 (mask) 而减少时间与成
本。
据了解，AMD 及辉达 Nvidia (NVDA-US) 都在探索“2.5D 芯片堆叠”来连接处理器与记
忆体的快速硅载板 (interposer)。苹果 Apple (AAPL-US) 与他厂都在芯片层结合处理器
与内存形成扇形组装，统称“2.1D 技术”，但目前对于服务器及桌机处理器还不够成
熟。Papermaster 认为 2.1D 技术在 2 至 3 年内应会较完善。
另外，因为制程的改良应不会再有效的提升处理器的主频速度，Papermaster 也呼吁软件
工程师应多使用多核技术与平行线程来提高运输效率。AMD 也开始模组化其处理器及
GPU 电路板线设计、缩短旗下的 Globalfoundries 半导体厂技术、并同时下单给台积电
(2330-TW) 来生产其 GPU，与英特尔 Intel (INTC-US) 和辉达抗衡。
AMD 股价虽然周二 (25 日) 收盘下跌 0.35% 来到 14.11 美元，但盘后因财报表现优良
一度在 15.5 美元之上。
http://times.hinet.net/news/20314887