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三星全球首家实现10纳米级DRAM量产，半导体与中国拉开5年距离
Posted April. 06, 2016 07:29, Updated April. 06, 2016 07:40 by 金智贤 记者
三星电子全球首家开创了“10纳米级DRAM”（Dynamic Random Access Memory，动态随机
存取内存）的量产时代。国内外电子业界认为，中国半导体企业一直在中国政府的集中
支援下令人害怕地追击韩国企业，三星此举一下子拉开了5年以上的技术差距。
三星电子5日宣布，从今年2月份起，世界最小的10纳米级（18纳米）8GB的DDR4（Double
Data Rate 4）DRAM已经进入了商业生产。
1纳米是1米的十亿分之一，其粗细相当于一根头发丝的十万分之一。内存半导体芯片越
小，单一芯片就可以生产出更多的产品。这可以大大降低生产成本，因此国内外半导体企
业展开了激烈的“纳米战争”。
三星电子在2004年实现了90纳米级DRAM的量产，此后每年缩小10纳米左右，于2011年9月
首次成功实现20纳米级的DRAM量产。2012年，三星又全球首次成功量产25纳米级的DRAM。
继2014年实现20纳米级DRAM的量产之后，三星同年10月在手机DRAM上也全球首安于现状采
用了20纳米级生产流程。目前，其他竞争企业还都停留在生产25-30纳米级的DRAM的水准
，不久前刚刚开始20纳米产品的量产。
三星电子计画依靠此次成功进入量产的10纳米级DRAM，在个人电脑和服务器用传统内存
半导体市场上展开大规模攻略。此外，在年内还将实现手机DRAM的10纳米级量产，先行占
领高清解像图手机市场。长期而言，三星还将打破被认为是不可能的领域的10纳米级的阻
隔，进入“X纳米层DRAM”的技术开发。
三星电子全球首家开创了“10纳米级DRAM”（Dynamic Random Access Memory，动态随机
存取内存）的量产时代。国内外电子业界认为，中国半导体企业一直在中国政府的集中
支援下令人害怕地追击韩国企业，三星此举一下子拉开了5年以上的技术差距。
三星电子5日宣布，从今年2月份起，世界最小的10纳米级（18纳米）8GB的DDR4（Double
Data Rate 4）DRAM已经进入了商业生产。
1纳米是1米的十亿分之一，其粗细相当于一根头发丝的十万分之一。内存半导体芯片越
小，单一芯片就可以生产出更多的产品。这可以大大降低生产成本，因此国内外半导体企
业展开了激烈的“纳米战争”。
三星电子在2004年实现了90纳米级DRAM的量产，此后每年缩小10纳米左右，于2011年9月
首次成功实现20纳米级的DRAM量产。2012年，三星又全球首次成功量产25纳米级的DRAM。
继2014年实现20纳米级DRAM的量产之后，三星同年10月在手机DRAM上也全球首安于现状采
用了20纳米级生产流程。目前，其他竞争企业还都停留在生产25-30纳米级的DRAM的水准
，不久前刚刚开始20纳米产品的量产。
三星电子计画依靠此次成功进入量产的10纳米级DRAM，在个人电脑和服务器用传统内存
半导体市场上展开大规模攻略。此外，在年内还将实现手机DRAM的10纳米级量产，先行占
领高清解像图手机市场。长期而言，三星还将打破被认为是不可能的领域的10纳米级的阻
隔，进入“X纳米层DRAM”的技术开发。