iPhone 6s 的进步不单单只有在处理器、相机以及 3D Touch 上…
3 日销售创下 1,300 万台，也确定 10 月 9 日会在台湾开卖，但 iPhone 6s 以及
iPhone 6s Plus 没有想像中简单。
魔鬼或许真的藏在细节里面，iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 在硬件规格确实获得很大
的提升，但绝对没有秋季发表会提到的 Apple A9、12MP 主镜头、4K 录影以及 3D
Touch 功能那般简单；好比说，这次 iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 内存提升至
2GB LPDDR4，Apple 就不在发表会上公布。
除此以外，iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 在储存方面也有着相当大的提升。
一般智慧型手机采用的 eMMC 规范，今年初 Samsung GALAXY S6 系列开始导入全新的
UFS 2.0 规范之后，让智慧型手机读写表现获得相当显著的提升。然而，现在 iPhone
6s 以及 iPhone 6s Plus 所使用的 NVMe，则是让 iPhone 追上 PC 的脚步。
Anandtech 透过特殊方法，了解到 iPhone 6s 所使用的产品是型号为 AP01228K 的
Apple SSD。有趣的是，早前 MacBook 所使用的 SSD 控制器型号为 AP0256H。
采用 SDIO 规范当然是不可能，因为那就是 eMMC，但采用 PCIe 或许有机会，可是问题
又会在电力供应部份。或许，它是基于 MIPI M-PHY 的 PCIe，而非 PC 般的 PCIe。相较
之下，UFS 2.0 同样是 MIPI M-PHY，但它的 Protocol 为 SCSI。
简单来说，在 iPhone 6s 电路板上见到的储存颗粒已经整合了控制器以及 NAND Flash。
同时，Anandtech 也读出内部资讯，显示 NAND 为 1Y128G－TLC-2P，这里大概意思是
1Ynm 制程的 128GB TLC NAND Flash。目前，iFixit 拆解的 iPhone 6s 与 iPhone 6s
Plus 分别是 Toshiba 和 SK Hynix 供应，Anandtech 手中的 64GB 版本来自 SK Hynix
。
Anandtech 当然公布了 iPhone 6s Plus 的储存测试数据。在 256KB 连续读写表现下，
iPhone 6s Plus 几乎没有任何对手，相较于 iPhone 6 或是 iPhone 6 Plus 来说，读写
速度成长几乎接近一倍。
来源
https://benchlife.info/apple-might-adopt-nvme-for-iphone-6s-09282015/
反正就是很快的意思XD