台大电子所ics类比组正取

楼主: a0926384671 (yuochen )   2021-05-05 17:14:48
文长,希望提供一些自己准备考试的心路历程,给后人一些方向或动力,没有一定对错。
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#About me
学校:
116电机系 系排6x%
考试结果:
台大电子所 乙组 正取7
交大电机所 甲组 正取
交大电子所 乙A 备6
分数:
<台大>
电子学:80
英文:68
口试:81.25
<台联大>(交大)
电子学:80
工数:43
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#考研初衷&前情提要:
很早就知道自己推甄顶多只能推到成大,想给自己一个往上的机会,于是决定以台大电子
所为目标考研,也趁这个机会复习有学跟没学一样的必修。
一开始打算推甄成大再考台大,后来因为一些原因没有推甄。而考研这边成大跟台联日期
撞、台联大里清交的电子所不能同时报,最后在断了推甄后路的情况下,只能考台大和交
大。
攻略懒人包:
1. 台大只考电子学(+英文*0.2),因此全力冲电子学。
2. 工数(微方+线代)只为台联大准备,目标是达到前60%的门槛。
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#三上寒假:把补习班电子学和线代正课听一遍。
选择线代而非微方是考量当时对这两科的熟悉度。线代是系上一下必修,当时修完程度大
概还在求三阶行列式值,还有很大~~的进步空间。想必大家也体会过从0分进步到40分
是比60到80分容易的,所以就是先往40分迈进的概念。
电子学会想在这时听是因为知道开学后很难有完整的时间能听,遇到期中考什么的一定会
断断续续。而大部分准备考研的人都是升大四的暑假开始补习冲刺,因此若想领先别人多
听一轮大概就是这个时候了!
因为堂数有点多会听到刚开学才听完,怕进度拖累所以没有写题目或复习什么的。大概就
是听个印象,之后暑假重听时也能够更快抓到老师上课重点,可以先知道,ㄟ这个地方我
当时听不懂现在要好好弄懂这样。
这个阶段的听课不论是电子学或线代到后半段很多都是似懂非懂的,不过我的目标是先听
过一次,所以还是硬著头皮先听完了。
#三下期间:修课和做专题
基本上没什么碰考研的东西,因为考研范围大,就算读也读不了多少所以选择好好修课做
专题。
#暑假:跟着补习班地毯式前进
精彩了,这段期间有种回到准备学测的感觉。每个礼拜大概两天整天在补习班(电子学、
微方、线代),剩下时间白天都在图书馆,上午固定读电子学,下午微方线代轮流,吃完
晚餐回家半读半耍废。
这时的读书策略是好好跟着补习班进度,电子学与工数的分配大概是一半一半,以下电子
学和工数分开来讲。
电子学
从头K原文书(Smith),每个礼拜上课前把那周预计上的范围先读过。要求上课前看完是
因为老师上课一定是讲很多公式速解什么的,若是先上课再读原文书一定会只注重在公式
,看不下去密密麻麻的英文。
觉得原文书的好处在于它的脉络,会说明某特性或是某公式的来龙去脉.前因后果,还有
电路的演进过程(往往都是先说某电路解决了什么问题,最后再讲它会产生什么缺点所以
才又发明某电路,接着又接下去介绍下个电路…)。
另外一个现实的原因:Smith是台大老师出考卷的参考用书馁!相信老师们对于电子学的
许多理解也是从上面来的,加上台大有手写题,且考完都不会公布解答,因此看他们看过
的书才能够从他们的鞋子里思考啊!
除了看原文书外,课后会把老师讲义该单元的题目写一写,这个set也正好达到课前预习
课后复习的乖宝宝读书法。
***预习(原文书) -> 认真上课 -> 复习(补习班题目)***
工数
读书方法有点无聊,没啥特别的,就是上课后开始写题目,不会的就回去看讲义弄懂,一
开始满顺的,都能把老师那周进度的题目写完,不过到后面有点落后,有些单元能理解就
不错了。
不过我得说我在补习班都满认真的。在台南读大学但回老家台中上课,所以补习班一个认
识的都没有。两个月来也只在电子课认识一个坐隔壁的朋友,工数课就乖乖当个边缘人。
电子学上课都是全神贯注,工数课都在老师抄板书讲废话时埋头写练习题,或是先写下一
题,不会写的话至少先想想如何破题,老师解完后看看为啥自己想不到这个解法之类的。
#四上(9~12月):题库前补洞、题库后刷题
开学后重心开始放在电子学,每天没课时固定去系上k馆(因为离上课地点很近又没有太
多限制)。
通常都是白天读电子学,傍晚电子读到想吐时再读工数。也因工数很可怜都没分到什么时
间,后期都以台联C卷会考的为准备方向,这也是早点锁定目标的好处之一。
这段期间的读书计画可分成题库班开课前与开课后。
“题库班开课前”主要是在“补洞”:
觉得从头再复习一遍对我来讲是没效率.没时间.没动力的,所以我把所有单元列出来,再
挑自己觉得需要补强的单元来读。
因为我们最后的目标是要完成一张不分单元的考卷,所以读书目的应该是要融会贯通,而
不是任务式地快点把每个单元都读完。
例如:读回授时发现有个多级放大器的观念有点忘了,那就跳回去那边读好再回来(好像
有点废话?)、读CMOS反向器时发现怎么跟B类输出级有点像,那就把输出级也读一下,拿
来做比较。
这个方法就是不断地发现问题然后查资料解决问题。查资料可能翻原文书、翻补习班讲义
、有时甚至直接把该单元正课再看一次。
这时还有一个重点是把自己准备好衔接题库班,不然题库班时若还要边补洞可能会有点爆
炸喔。
“题库班开课后”:
规划简单许多,就是跟着老师进度走,老师一定每个单元跟重点都会带过,可以再检视一
次自己哪里不会。其余时间就是大量刷题,毕竟准备考试一定需要累积解题技巧。
刷题另一个好处是能更容易判断自己算出的答案是否合理,例如Vov、低/高频3dB、小/大
电容等等都有一个常见的合理范围,若累积足够经验也许能在算出奇怪答案时即时发现错
误。
满有趣的是电子学题库班初期,一下课就要冲去阳台问老师问题才能避免排队人潮。不过
到了中后段,只剩下两个人会固定问问题,而且他们超会问,我都问完就回座位了,他们
都整个20分钟下课在外面问好问满,我当时也是偏问号。
不过考完后也认识他们了,一个上台大电子乙、一个上交大电机甲。
因此这边提供另一个上榜方法:每堂下课给我去阳台报到蛤。
#考前一个月(1月):不要慌,撑下去
准备内容以近几年的考古题为主。
自认这时大势已定,能做的就是把握自己这几个月来努力读的,忘了要记得救回来。这时
遇到不会的,要思考是小地方没注意还是一整个大观念不ok,若是前者那没事,解决一下
就好;若是后者,那建议这部分就先放了吧。若是遇到很多后者的情况,可以问一下补习
班提早报名有没有优惠(开玩笑D)。
以我为例,这时的电子学应该是准备得差不多了,但解题一定还是有错,不过我知道许多
是解题方面的错误不是大观念上的错误。那我应该庆幸这时候能够发现,然后把这个错误
经验记到大考当天,而不是觉得自己烂,乱成一锅粥。
而这时工数的微方其实满GG的,写台联工数C考古大部分分数都从线代拿,微方因为怕倒
扣,只有3.4题有写答案。
大家都说工数C微方难拿分,所以我后期重点都放线代,不过刷考古的过程发现微方许多
题目的AB选项还是有基本题,若是掌握AB选项.CD进阶题再猜一下还是可以有一分或三分

于是我开始把微方各个单元的基本题救回来,进阶题就不鸟它8888。
最后台联工数C线代得20分,微方得23分,我自己也是吓一跳。
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#补充/整理
考古题:
补习班老师说考古最后再做,一开始做干嘛。但其实我从开始准备考研每隔一段期间就会
拿台大考古来写一下,写完再查一下需要几分才能上榜。目的是确认自己离目标还多远,
也更有前进的动力。
我三年级时写台大电子学考古大概得0分,题库班以前写时大概也还考不上,但这都没关
系,因为考试是在2月,因此前面多烂都不重要,重点是在考试当天以前准备好。
英文:
准备时间大概一年,但没花很多时间,当作读不下书时的小休闲。
主要都是写台大考古,但发现考前一个月和考前一年写同份考卷只进步了4分左右,算是
写心安的。
电子学:
个人认为台大(or成大)的电子学的重点在电子学较后面的单元。如:差动、频率响应、OP
、回授、OP内部、CMOS反向器、滤波器。这些也是比较属于整合型的单元,这些单元我正
课影片至少都有看三遍,电子三的部分原文书则是翻烂了,会了这些前面的单元自然也应
没问题了。
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#台大口试:
口试有4关,每关跟一个老师进行5分钟一对一对谈。
口试前学校会要求交一份有规定格式的ppt(4-5页),供老师在面谈时快速浏览。
内容包括:必修成绩、相关选修成绩、专题内容、研究方向、课外活动。
以下凭印象说一下各关被问到的问题:
第一关:
1. 老师给了一张cmos的剖面图,问我能不能看出nmos与pmos的位置。
2. 先是问我若要让cmos速度对称,npmos需不需要做什么调整,再让我看cmos layout的
图片,问这个cmos速度有没有对称。
3. 若要同时推动许多inverter该怎么做?
4. 问Finfet的图,但我不会,老师说这是进阶题没关系。
这关老师人满好的,有点像边跟你聊天边看你会多少东西,也会在你说错或卡住时适时提
点一下。
第二关:Differential Pair
这关老师印象很深刻,一进去就叫我简短说明我做的专题领领域(power)有没有什么原因
,我讲了第一句话后他说不够简短,接着又说我说的原因不是原因,于是我最后只能说没
有原因。
接着指着白板上画好的Differential Pair问我下面两个nmos的启动条件是什么,我搞不
太清楚他真正问的是啥,说了一些错误的答案,结果最后的答案是vgs> vt..。接下来大
概又问了4个关于图上的问题,因为老师气场强大、讲话节奏又很快,让我感到措手不及
,虽然都是简单的问题但我只答出了一两个吧。老师还一直说我知道这些你都会,但我只
想看你的临场反应。好吧我反应不太好...
第三关&第四关:
三四关问的问题基本上差不多,都是问cmos inverter的操作原理、若要加快inv可以改变
什么参数、怎么让消耗功率变小,三四关差别只在一个是看着白板的图片答、另一个是用
纸笔自己画自己答。
这四关共同的地方就是老师一开始会看你的成绩和专题,问你一点问题。不过问题都不深
,都是看你修过什么做过什么而已。
#口试心得:
觉得口试成绩大多取决于学校、科系、修课、专题等专业经历,而这些都是口试前就决定
的。我自己面试时,除了第二关有点咄咄逼人外,其他都满和平的,大家表现可能也不会
差太多。所以建议大家若时间还早(大四暑假前)可以多培养专业能力,若时间不允许还
是把重心放在把一阶笔试分数冲高比较实际。
https://i.imgur.com/Vf3iw2o.jpg
作者: breadking   2021-05-05 17:32:00
推强者
作者: ha47 (哈士奇)   2021-05-05 17:43:00
正取台大都强者
作者: asdloop321 (sadasdas)   2021-05-05 23:34:00
代po吧?
作者: edison106 (叫我陈冠希)   2021-05-06 00:34:00
超多雷
作者: taipoo (要成功要积极)   2021-05-06 06:04:00
作者: SmileShark (SmileShark)   2021-05-06 09:43:00
推推
作者: wayne900119 (肚脐)   2021-05-06 19:26:00
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