自由时报
陈丽珠／核稿编辑
韩国半导体人才及技术 快被中国挖空
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韩媒爆料，中企不仅挖角韩国半导体人才，还窃取HBM等先进技术。示意图。（路透）
〔财经频道／综合报导〕韩国内存产业正遭遇来自中国的严峻挑战，今年第一季长江存储
占全球快闪存储器市占来到8.1%，吓坏韩国。韩媒披露，中企技术之所以进步神速仰赖挖角
和偷技术，不仅挖角三星和SK海力士的人才，还窃取HBM（高频宽内存）等先进技术，甚
至绕过美国制裁，不惜开出比行情价高出1.7至2倍的价格，从韩国狂扫设备。
韩国媒体《Hankyung》报导，中国内存公司曾窃取三星和SK海力士的技术，如今仅剩一年
时间就可能威胁韩企的地位，韩国正面临“红色内存入侵”挑战。
根据统计，中国长江存储今年第一季占全球快闪存储器市场比重来到8.1%，这是中国半导体
公司市占率首次得到官方确认。业内人士预测，照此速度发展，长江存储将在一两年内与SK
海力士和美光等厂商并驾齐驱。
同时，在DRAM市场部分，中国长鑫存储的市占率已达4%，这意味着长期以来该产业三足鼎立
的局面可能被打破。根据市场研究公司 TrendForce 的数据，2025 年第一季，长江存储在
全球 NAND 市场排名第六，市占率 8.1%，第一名至第五名依序为：三星电子（31.9%）、SK
海力士（16.6%）、美光（15.4%）、铠侠（14.6%）和 Sanisk（12.9%）。
在DRAM领域，长鑫存储以4.1%的市占率位居第四，前三名依序为SK海力士（36%）、三星电
子（33.7%）和美光（24.3%）。
业内人士5日透露，韩半导体产业在收到TrendForce第一季市占率报告后，大吃一惊。专家
警告，中国“红色内存”的入侵才刚开始，这些公司背靠强劲的中国国内需求，如今拥有
顶尖技术。
报导称，长江存储已开发出约300层的NAND产品，与三星相当。长鑫存储目前正在开发第四
代高频宽内存（HBM3）。市场预计今年下半年，长江存储将跻身全球NAND市场前三，长鑫
存储也将与三星、SK海力士和美光公司，成为全球四大DRAM厂商之一。首尔国立大学教授黄
哲成（音译）直指，10年内，全球DRAM领导地位可能从韩国转移到中国。
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外媒指出，中国企业加价狂扫半导体设备。示意图。（路透）
报导还踢爆，美国制裁促使中国内存企业以70%的加价购买韩国设备，目前韩国半导体设
备商正忙于应对来自长鑫存储和长江存储等中国公司的爆量订单，这些公司正在囤积制造LP
DDR5和HBM等先进产品所必需的设备。
为了快速获得设备，这些中国公司经常提出紧急订单，开价比原价高出1.7到2倍。一家韩国
半导体设备公司的代表说，中国内存公司正在加大对开发HBM3等下一代半导体所需的最先
进设备的订单。
报导提及，长鑫存储和长江存储对韩国设备的兴趣并非空穴来风。全球超过90%的半导体设
备市场由应用材料公司和科林研发等美商，或东京威力科创等日商掌控。韩国产品受美国监
管较少，因此成为中企透过第三国采购的替代方案。
报导指出，中国企业技术快速进步归功于挖角人才和获得技术，中企试图窃取HBM等先进技
术，或从三星和SK海力士挖角人才的案例屡见不鲜，类似的状况在韩国以外的国家也时常发
生。荷兰国防部长Kajsa Ollongren最近告诉路透，中国正在增强其半导体技术间谍活动，
业界怀疑中国试图窃取ASML的EUV技术。
https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5066997