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美光科技 (MU-US) 26 日宣布已成功向客户供应第六代 10 奈米级 DRAM 样品，
反超韩国三星与 SK 海力士，打破原有的市场格局。
美光表示，将于 3 月 25 日正式推出基于全新 1γ（1-gamma）制程技术的 16Gb
DDR5内存，这是美光首次采用极紫外（EUV）曝光技术。
新内存不仅比前代产品具备更高效能、功耗更低，制造成本有望进一步下降。
此外，美光表示，其 1γ 制程技术（第六代 10nm 级节点）未来将应用于其他
DRAM 产品。
美光表示，1γ DRAM 是美光继领先业界的 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM
制程节点之后，再次树立的重大里程碑，并将有效赋能云端、工业与商业消费端及
边缘 AI 设备（如 AI PC、智慧型手机及汽车等）等未来运算平台。
美光科技执行副总裁暨技术和产品执行长Scott DeBoer 强调，美光运用其开发专有
DRAM 技术的专业知识，搭配 EUV 微影技术的策略性运用，形成顶尖 1γ内存的强
大产品组合，以推动 AI 产业生态系统向前迈进。
在半导体产业的激烈竞争中，美光率先量产第六代 DRAM 芯片的消息，一时间引发业界
关注。这项突破性的进展，不仅展现了美光在技术研发上的强大实力，也为其在未来的
市场竞争中赢得了先发。
一直以来，三星和 SK 海力士在 DRAM 市场中占有重要地位，而美光此次成功突围，率
先推出第六代 DRAM 芯片，或将打破原有的市场格局。