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英特尔宣布1.8奈米上半年试产 领先台积电？
2025/02/23 07:42
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英特尔宣布18A制程（1.8奈米）已为第三方客户“做好准备”，并将于今（2025）年上半
年开始完成设计试产，领先台积电2奈米年底的试产规划。（本报合成资料照）
吴孟峰／核稿编辑
〔财经频道／综合报导〕由于英特尔的芯片设计和代工业务面临越来越大的压力，可能危
及公司的未来，其即将推出的18A制程的成功至关重要。英特尔宣布18A制程（1.8奈米）
已为第三方客户“做好准备”，并将于今（2025）年上半年开始完成设计试产，领先台积
电2奈米年底的试产规划。
随着英特尔完成其最新的半导体制程，2025年将成为该公司努力使代工部门合法化，并重
新获得与台积电和三星的竞争力的决定性一年。
18A最重要的创新之一是透过PowerVia进行背面供电。透过将粗间距金属和凸块移至芯片
后部，并实现奈米级硅通孔，英特尔旨在将ISO功率性能提高4%，并将标准单元利用率提
高5%至10%。
另一个关键进步是RibbonFET，这是英特尔对环栅电晶体技术的看法，这种设计可以对电
流进行更精细的控制，减少漏电。随着芯片变得越来越小、越来越密集，这是一个越来越
关键的挑战。
台积电也为其2nm N2制程准备全闸极架构解决方案，但预计要到2025年底才会开始批量生
产，该产品将于2026年首次亮相。