美再铡！传美设备大厂驻厂人员全面撤离，长鑫存储 15 奈米量产计画告急
https://technews.tw/2025/02/17/cxmt-fab-korea-memory-factory/
中国内存大厂长鑫存储（CXMT）近年来迅速扩大市占率，成功全球 DRAM 市场，严重威
胁三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光等内存巨头的主导地位。
在前美国总统拜登时期，美国原计划在最新的第三轮芯片禁令中瞄准长鑫存储，但传出因
日本反对而作罢，主要是考量日本芯片制造设备巨头东京威力科创（TEL）是长鑫存储的
主要供应商。然而，业界最新消息传出，美系设备供应商的技术人员已经从长鑫存储工厂
撤离，背后原因推测是美国政府今年 1 月再度收紧管制，管制范围已扩及长鑫存储目前
正在量产的 18 奈米，导致美系设备商不能协助其设备维护。
虽然目前无法确定影响程度，但考量到未来机台维修、韧体更新问题，长期可能影响长鑫
存储的技术进程。这在韩国内存大厂眼中，可能是个好消息。
值得注意的是，应材刚举办财报会议，表示前任拜登政府最后一个月公布的出口新规，将
对 2025 财年的营收冲击估计将达 4 亿美元，主要集中在公司服务部门，原因是必须停
止部分中国客户的设备维护服务，似乎与业界消息不谋而合。
而近期美国政府的动作也凸显美方持续收紧管制的政策方向。美国众议员 11 日才刚点名
设备大厂科林研发（LAM Research）不配合调查，并说如果未在 2 月 21 前提交资料，
将不排除采取必要强制程序。
红潮强袭，冲走韩国内存大厂一大片获利
事实上，目前业界对于长鑫存储的迅速崛起备感震惊。
根据《金融时报》（FT）引用深圳顾问公司研究数据，中国长鑫存储在全球约 900 亿美
元 DRAM 内存市场的占有率，原本是 2020 年的接近零，但到 2024 年已经有 5% 市占
，成长速度相当惊人，不排除未来会进一步“滚雪球式”成长。
去年业界频传，长鑫存储在 DRAM 技术已追上三星，差距已缩小至 1.5 年以下；产能部
分，长鑫存储目前月产能为 23 万片晶圆，2025 年将提升至 33 万片，产能直逼美国
DRAM 大厂美光。
至于 HBM 方面，虽然目前还在 HBM2 客户送样阶段，但在中国政府强力补贴政策之下，
长鑫存储 DDR5 进程已经直逼 15 奈米。研调机构 TechInsights 指出，长鑫存储本来首
款商用 DDR5 要采 17 奈米制程，但现在已往前至 16 奈米，下一代 15 奈米也在现有制
程上开发，目标是 2025 年完成、2026 下半年商业化，速度相当惊人。TechInsights 认
为，“这意味他们找到独特的方法，以商业规模设计并制造这款芯片”。
调研估长鑫存储 DDR5 技术应落后韩美 3 年
TechInsights 分析，长鑫存储最新技术落后韩国两大厂及美光约 3 年，但长鑫存储与业
界巨头抗衡的能力已提升。
此外，长鑫存储也在中国政府政策支持下持续累积其在业界中的竞争力。举例而言，中国
政府透过退税政策鼓励厂商采用中国自制零组件，吸引不少笔电大厂采用中国零组件，从
联想（Lenovo）乃至于 Dell、HP 在中国销售笔电的机种据传皆会采用长鑫存储 DDR5 产
品。
另外也有调研机构指出，由于长鑫存储扩大 DDR4 产能，去年底产能提高到每月 20 万片
，市占率已达到 15%。三星、SK 海力士在市场供应增加、压低内存价格的情况下不得
不退出低阶市场。如今，传出美系设备大厂全面撤出长鑫存储，情况如同当年长江存储的
状况，是否能让被紧追的韩系厂商喘一口气，也是业界关注焦点。
不过，也有熟悉中国半导体的业界人士认为，由于美国已多次祭出口禁令，中国厂商已多
有准备，至少都会备货半年到一年的库存量，因此评估短期之内的影响相对有限，但长期
是否有效削弱长鑫存储的竞争力，仍需时间观察。