突破 300 层门槛！SK 海力士宣布量产 321 层堆叠 NAND Flash
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韩国内存大厂 SK 海力士于 21 日宣布，开始量产全球最高的 321 层堆叠 1Tb TLC
4D NAND Flash 快闪存储器。
SK 海力士表示，从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层堆叠 NAND Flash 快闪
内存，并供应于市场之后，现在又率先推出了超过 300 层堆叠的 NAND Flash 快闪记
忆体，突破了技术界限。SK 海力士计划从 2025 年上半年起，开始向客户提供 321 层堆
叠的产品，以此因应市场的需求。
SK 海力士强调，在此次产品开发过程中采用了高生产效率的 3-Plug 制程技术，克服了
堆叠局限。该技术分三次进行通孔制程，随后经过优化的后续工程，将 3 个通孔进行电
气连接。在其过程中开发出了低变形的材料，并引进了通孔间自动排列（alignment）矫
正技术。
另外，技术团队也将上一代 238 层堆叠 NAND Flash 快闪存储器的开发平台，应用于
321 层堆叠的产品上，由此最大限度地减少了制程的变化。与上一代产品相较，其生产
效率提升了 59%。还有，此次 321 层堆叠的产品与上一代产品相较，数据传输速度和读
取性能分别提高了 12%、13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下来将
以 321 层堆叠 NAND Flash 快闪存储器，积极因应针对 AI 低功耗、高性能的新市场，
并逐渐扩大其应用范围。
SK 海力士 NAND Flash 快闪存储器开发副社长崔正达表示，公司率先投入 300 层堆叠以
上的 NAND Flash 快闪存储器量产，在攻占用于 AI 资料中心的固态硬盘、边缘 AI 等针
对 AI 的内存市场方面占有有利地位。未来，公司将不仅在 HBM 为代表的 DRAM，在
NAND Flash 快闪存储器领域也具备超高性能内存产品组合，将跃升为全方位面向 AI
的内存供应商。