看很多回应都是看虽小中芯和华为..............
这其实是很不明智的.......
宁可高估对手，也不要看轻对手................
中芯在只有DUV的情况下能做到这种程度，代表他
在芯片制造上累积了很多台积电都没有的绝招和技术。
一旦中国的晶圆设备成熟，中芯很可能马上就打趴台积电了。
生于忧患，死于安乐...................................
※ 引述《cjol (勤朴)》之铭言：
: ※ [本文转录自 cjol 信箱]
: 作者: pooznn (我~~~是来被打脸滴!!!) 看板: Gossiping
: 标题: [新闻]台积电危险了?日经:中国芯片实力仅落后3年
: 时间: Wed Aug 28 12:10:42 2024
: 1.媒体来源:
: 壹苹
: 2.记者署名:
: 新闻来源:《日本经济新闻》
: 3.完整新闻标题:
: 台积电危险了？日经：中国芯片实力仅落后3年
: 4.完整新闻内文:
: 【国际中心／综合报导】美国对中国华为实施出口禁令已经5年，成效如何难以评估，不
: 过日媒引述业界人士报导，从电子产品设计观察，中国芯片实力仅落后台积电3年。
: 《日本经济新闻》报导，每年拆解上百种电子产品的东京半导体调查企业TechanaLye社长
: 清水洋治表示，中国芯片实力已经追到只落后台积电3年。
: 清水用拆解“华为Pura 70 Pro”的芯片照与先前照片做对比，指台积电2021年以5奈米量
: 产的“KIRIN 9000”处理器，与今年中芯国际7奈米生产的“KIRIN 9010”处理器，性能
: 差距并不大。
: 报导指出，台积电5奈米芯片面积107.8平方毫米，中芯7奈米则是118.4平方毫米，差异不
: 大，处理性能基本上也相同。
: 根据报导，台积电2021年量产的“KIRIN 9000”，是由华为旗下的海思半导体设计；2024
: 年中芯量产的“KIRIN 9010”，也是由海思设计，虽然7奈米与5奈米不同，不过性能却差
: 不多，可见海思的设计能力提升。
: 报导指出，虽然良率存在差距，不过从出货的半导体芯片性能来看，中芯实力已追到只比
: 台积电落后3年。随着芯片缩小的难度加大，台积电想甩开中国会更加困难。
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: 6.备注:
: 太可怕惹~~~
: 所以 红统仔已经开始拿身家 去空台GG了吗???