Pat Gelsinger 称中国芯片制造“落后十年”，差距会一直持续
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英特尔执行长 Pat Gelsinger 在世界经济论坛表示，美国、日本和荷兰的出口制裁，暂
时限制中国 7 奈米以下制程发展，虽然中国会持续发展半导体产业、设计更先进芯片制
造工具，但仍比全球半导体业落后十年，之后也会一直如此。
Gelsinger 认为，美日荷政策某种程度为中国半导体业设定 10~7 奈米的下限。目前中芯
国际有 7 奈米技术，比台积电和三星晚约五年半；上海华力微电子公司（HLMC）2020 年
开始试产 14 奈米 FinFET 制程，也比台积电落后九至十年。
中芯国际和上海华力微电子都使用荷兰、日本、韩国、台湾和美国制造设备及材料，但因
无法获得这些原物料，因此不得不开发自家晶圆厂设备，找出能用于先进芯片的气体、抗
蚀剂和其他化学品方法。
Gelsinger 预期，中国芯片产业落后全球约十年，虽会不断发展，但在可预见未来仍落后
十年，主要是因为“半导体是高度相关产业，包括蔡司镜片、ASML 设备组装、日本化学
品和抗蚀剂、英特尔光罩制造，我认为这些加起来有十年差距，且出口政策下，会持续这
十年差距。”
也因此，面对全球整个产业的投入与合作，中国能否靠一己之力独自完成，仍待商榷，如
果中国无法获得先进芯片设备和技术，中国半导体公司可能透过逆向工程和仿制来获取设
备，缩小与全球芯片产业差距，虽然不是可持续下去的方法，但别无选择。
谈到先进制程，Gelsinger 也表示，英特尔正往 2 奈米以下发展，再来是 1.5 奈米，在
制程是看不到尽头的。