Pat Gelsinger 承认摩尔定律以三年为周期放缓，但并未死亡
https://technews.tw/2023/12/25/intel-pat-gelsinger-moores-law/
英特尔执行长 Pat Gelsinger 对摩尔定律的观点一直是“摩尔定律依然有效”，但最近
似乎承认半导体产业的发展速度已经放缓。
Gelsinger 在 Manufacturing@MIT 演讲中提到，电晶体现在每三年增加一倍，实际上大
幅落后摩尔定律的速度，即每两年翻一倍。
摩尔定律由英特尔联合创办人兼执行长高登．摩尔（Gordon Moore）于 1970 年首次提出
，称随着新制程密度不断提高，芯片的电晶体数量将每两年翻一倍，但由于半导体产业的
发展速度在一定程度上落后摩尔定律趋势，因此包括 Nvidia 执行长黄仁勋在内的许多人
都说摩尔定律已死。
Gelsinger 自从 2021 年接任英特尔执行长后，一直强调摩尔定律仍然有效，甚至认为英
特尔至少在 2031 年前都可超越摩尔定律速度，并推广“超级摩尔定律”（Super Moore
’s Law），即利用 2.5D 和 3D 芯片封装技术（如Foveros）提高电晶体数量的策略。
英特尔常称此为“摩尔定律 2.0”，而 AMD 也表示，正进入摩尔定律步伐放缓的时代。
https://youtu.be/tLcOKaPxWyA
Gelsinger 近日在麻省理工学院（MIT）演讲中，被问及摩尔定律的潜在终结，他表示：
“我们已经宣布摩尔定律死亡已经约 30、40 年。我们不再处于摩尔定律的黄金时代，现
在要难得多，所以可能更接近每三年翻一倍，也看到速度放缓。”
从表面上看，这似乎是 Gelsinger 态度大转弯，不过如果从上下文来看，Gelsinger 讨
论摩尔定律放缓时似乎特别谈到制程。
Gelsinger 表示，尽管摩尔定律明显放缓，但英特尔到 2030 年仍能制造出 1 兆个电晶
体的芯片，而目前单个封装上最大的芯片约有 1,000 亿个电晶体。也因此，新型
RibbonFET 电晶体、PowerVIA 电源传输、下一代制程和 3D 芯片堆叠，将使这四件事成
为可能，最后他强调“那些宣称我们（英特尔）已死的批评者，在元素周期表耗尽前，我
们还没有结束”。
不过 Gelsinger 也承认，摩尔定律面临经济性瓦解，7、8 年前，一座现代化的晶圆厂约
需要 100 亿美元，现在成本成长至 200 亿美元，经济方面已经出现不同变化。