无论是SK海力士或是三星都将于2024年全力往HBM和LLW DRAM的AI内存商机前进
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对于内存业者来说，AI正在驱动高阶DRAM的需求，也在改变内存业者研发的方向。例
如：随着AI服务器对于内存芯片需求提高，特别是高频宽内存（HBM），使得海力士
从2023年第二季就受惠这一趋势转变。毕竟，内存是GPU和AI加速器的重要组成部分。
如今这一趋势开始吹向行动装置市场，即是装置上AI所需的内存。例如：为了支援苹果
Vision Pro内之R1芯片的高速处理，SK海力士开发了客制化的1GB DRAM。这一新的DRAM将
输入和输出引脚的数量增加了八倍，以最大限度地减少延迟。此类芯片也称为低延迟宽IO
（Low Latency Wide IO）。更重要的是，新芯片似乎还采用特殊的封装方法（即是扇出
晶圆级封装）设计，作为一个单元连接到R1芯片组。
三星为了追赶SK海力士的脚步，预计于2024年推出专门用于装置上AI的LLW DRAM。根据三
星表示，LLW DRAM在处理即时数据方面比目前大多数行动装置中使用的LPDDR模组更有效
。也由于延迟较低，使得LLW DRAM非常适合游戏和人工智能应用。
其实，三星最初是在2023年1月宣布了这项新的DRAM技术，后来又在10月重申了其能源效
率比普通 DRAM 提高70%，同时提高处理速度。三星为了提醒业界，于2023年11月底分享
了一段影片，展示了新型LLW DRAM的可能性。这段短影片展示了四种类型的装置，即可适
用于智慧型手机、笔记型电脑、游戏机以及可以从中受益的XR头戴式装置。在智慧型手机
上，LLW DRAM可能直接堆叠在应用处理器（AP）上方。
由于三星将于2024年下半年推出XR耳机。该产品由三星、高通和谷歌共同开发，可能会在
2024年7月或8月的Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6发布会期间正式发布。可想而知的
是，这款XR头戴式装置将会配备LLW DRAM。
由于苹果的R1芯片是采用了扇出晶圆级封装（FOWLP）技术。而且三星的Exynos 2400也是
使用这项封装技术。所以三星XR头戴式装置的应用处理器也可能采用扇出晶圆级封装技术
。
随着芯片产业正在跟随着AI爆发式的成长而寻求更多商机，SK海力士和三星有机会依赖
HBM和LLW DRAM而受惠。事实上，AI技术的不断增长、广泛的影响以及对芯片的旺盛需求
将在未来几年为该产业带来福音。从长远来看，AI是否能够抵消内存市场中更大的问题
还有待观察。不过，SK海力士、三星和美光等内存芯片生产商，势必于2024年全力抢夺
AI带来的新内存商机啊！