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三星、海力士陆厂设备 获解禁
美国即日起无限期开放对三星及海力士陆厂，出口半导体设备；台积电不评论
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同样受限美方禁令的台积电9日表示，不评论市场传闻。图／美联社
韩国9日宣布，美国已将三星电子及SK海力士两大芯片业者列入认证终端用户（VEU）名单
，即日起无限期开放美国业者对三星及SK海力士中国厂房出口半导体制造设备，有助稳定
全球芯片产能。韩国总统府经济事务秘书Choi Sang-mok表示：“美国政府的决定化解了
韩国半导体产业最大贸易问题。”
同样受限美方禁令的台积电9日表示，不评论市场传闻。法人研判，台积电南京厂是以28
奈米制程技术为主，未来迭代至先进制程机率不高，影响有限。另韩厂在中国生产的记忆
体芯片，非最先进的，且依然无法采购ASML的EUV光刻机至大陆工厂，只能在成熟制程范
围内维持经营。
去年10月美国政府为防止中国急速扩张半导体势力，下令禁止美国业者出口先进半导体产
品及设备至中国。
这项禁令涵盖产品列表包括采用FinFET制程技术的16奈米至14奈米逻辑芯片、18奈米以下
的DRAM芯片，及128GB容量以上DRAM芯片生产设备或技术。美国半导体业者须向政府取得
授权，才能将特定品项出口至中国。
美国政府为确保全球半导体市场供货稳定，去年10月授予台积电、三星及SK海力士为期一
年的豁免权。今年9月豁免权即将到期，三星及海力士取得无限期豁免权，未来即不用再
逐年谈判。
三星在西安设有芯片厂专门生产NAND Flash内存芯片，产量占三星全球NAND Flash产量
的40％。三星在苏州还有一座芯片封装厂。SK海力士在大陆有多间厂房，其中无锡厂生产
DRAM内存芯片占该公司全球产量的50％。
台积电方面，第二季制程结构已以先进制程为主，5奈米和7奈米制程比重已逾50％，来自
中国大陆比重已不及15％，影响不大。另一方面，台积电选择降低中国营收比重，积极扩
张海外产能，将地缘冲突影响降至最低。
法人认为，豁免消息主要影响恐是破坏内存供需平衡，无限期豁免下，两大内存公司
将持续增加中国工厂产能，加上中国内存芯片厂快速崛起，如长江存储，长鑫存储及福
建晋华，若供给持续开出，难免又造成另一次价格崩跌，台厂如南亚科、华邦电、旺宏将
首当其冲。
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