三星3奈米秀 没说出重点
2022/07/26 03:02:10
经济日报 编译陈律安、记者尹慧中／综合报导
三星25日盛大举办3奈米芯片出货仪式，象征该公司在制造最先进芯片的竞赛中已达成重
大里程碑，与台积电（2330）的竞争也更趋白热化。不过，三星仍未揭露3奈米客户。
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三星不忘提出与台积电竞争的数据优势，强调其3奈米技术以环绕闸极技术（GAA）打造，
较台积电采用的鳍式场效电晶体（FinFET）制程，GAA技术最终可减少芯片面积35%、性能
提高30%、功耗降50%，其目前第一代的3奈米制程，已达成芯片面积减少16%、性能提高
23%、功耗降45%。
另据韩媒Business Korea报导，三星7月在美国的研究机构Device Solution America成立
封装解决方案中心，并罕见地从苹果公司挖角，延揽半导体专家金宇平（音译），以强化
发展封装技术。金宇平从韩国科学技术院（KAIST）毕业后，先后任职于德州仪器和高通
，并自2014年起在苹果任事约九年。
封装是三星聚焦的研发领域之一。随着超微细晶圆制造的难度提高，芯片制造商正转向加
强封装技术，以克服物理侷限，台积电也积极切入封装领域，三星大挖封装人材，业界预
期希望借此争取更多弯道超车台积电的机会。
三星并未揭露3奈米首批客户，仅透露将把3奈米技术用于高速运算（HPC），并计划与主
要合作伙伴携手，将其扩至系统单芯片（SoC）等多种产品。
韩联社报导，三星25日于京畿道华城芯片制造园区，举办3奈米芯片首度出货的庆祝仪式
，并邀请约100名产官界人士参与。
对于三星态势积极，台积电不评论竞争对手，强调3奈米今年下半年量产进度不变。台积
电历来不会因某制程量产特别召开记者会。
依据台积电近期技术论坛与法说会揭露的资讯，其3奈米制程采用采鳍式场效电晶体（
FinFET）架构，将是5奈米制程技术之后的另一个全世代制程，开发进度符合预期且进展
良好，未来将提供完整的平台来支援行动通讯及高效能运算应用，2021年起已接获多个客
户产品投片，并早已预定2022下半年开始量产。
三星装置解决方案部门执行长庆桂显说：“三星今天借由量产3奈米芯片，开启了晶圆代
工的新篇章。”“在鳍式场效电晶体（FinFET）技术已逼近极限之际，我们比对手更快研
发出GAA技术这种替代方案，展现出创新成果。”
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