俄罗斯 31 日宣布向莫斯科电子技术学院 (MIET) 拨款 67 亿卢布、约 6,100 万港币（
约2亿台币），研发全新 X 射线光刻机，技术相较 ASML 公司的 EUV 光刻机更先进，有
望打破西方国家技术制裁并终止 ASML 公司的垄断地位。
有别于传统的EVU 极紫外线光刻机，X 射线光刻技术采用同步加速度配合等离子体源的无
遮罩光刻技术，由于 X 射线波长介乎10nm 至 0.01nm 相较 EUV 更短，理论上能提供更
高的光刻分辨率，能提供更先进的制程工艺。
X 射线光刻机另一个优势是直写光刻，无需要用光掩遮罩，因此成本也能大大降低，俄罗
斯媒体更宣传此举将打破西方在芯片技术上的制裁，同时能打破 ASML 公司多年来的垄断
。
其实，美国、中国及、欧洲多国均曾经研究 X 射线光刻技术的可能性，但最终放弃收场
。
https://i.imgur.com/4Qg6BwH.jpg
文章来源
https://www.facebook.com/94338753945/posts/10158710455023946/?d=n