三星开始EUV大规模14奈米量产DDR5 抢先美光
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DDR5将在“资料经济市场”扮演重要角色，市场预估明年 (2022) 将全面进入DDR5产品的
世代交替，初期将先锁定资料中心、超级电脑和企业服务器应用。
三星电子（Samsung Electronics）2021年10月12日宣布，开始大规模生产基于EUV技术的
14奈米DRAM。继2020年3月推出业界首款EUV DRAM后，三星将EUV层数增加到5层，为其
DDR5解决方案提供最先进的DRAM制程。
三星电子透过关键的EUV微影技术，在DRAM推出多层EUV，树立另一个技术里程碑，实现了
14奈米的极小型化，这是传统的氟化氩（ArF）制程无法实现的。三星将继续提供最具差
异化的内存解决方案，以满足5G、人工智能和元宇宙（metaverse）等资料驱动领域对
更高性能和容量的芯片的需求。
随着DRAM继续缩小到10奈米范围，EUV技术变得越来越重要。在14奈米DRAM采用5个EUV层
，三星实现最高的位元密度提高到24Gb，且将晶圆的生产率提高近20%。与上一代DRAM节
点相比，14奈米可以将功耗降低近20%。
利用最新的DDR5标准，三星的14奈米DRAM将传输速率最高达每秒7.2 Gbps，是DDR4最高
3.2Gbps的两倍以上。
另一家DRAM大厂美光（Micron）在出席 2021 COMPUTEX Forum曾表示，美光DDR5生态系统
已经准备好了，目前已有来自超过100家企业、250位计及技术专家参与计画。预计将在明
年 (2022) 推出、可支援DDR5的新平台做准备。现在看来，三星电子又抢先美光早一步量
产推出DDR5。