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2021-08-03 00:54 经济日报 / 记者林宸谊／台北报导
面对美国在半导体领域不断打压，大陆欲藉第三代半导体技术来弯道超车美国，彭博报导
，大陆不仅决定投资人民币10兆元（约新台币43兆元）在第三代半导体材料的研发及生产
，并首次写入“十四五”规划中，显示未来五年将是发展第三代半导体的关键时刻。
与第一代半导体材料硅（Si）、锗（Ge），和第二代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化铟
（InP）相比，第三代半导体材料为氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）具有更好的物理和化
学特性，同时具有散热迅速、耐高电压、高电流的特性等特性。
因此第三代半导体材料多用在5G基地台、快速充电以及电动车、轨道交通等产品上。
由大陆科技部、工信部支持，科研机构、大专院校、龙头企业发起筹建的“第三代半导体
产业技术创新战略联盟”（CASA），于今年6月发布的“第三代半导体产业发展报告2020
”白皮书显示，去年大陆第三代半导体整体产值超过人民币7,100亿元（约新台币3兆元）
。
其中，半导体照明整体产值约人民币7,013亿元，受新冠疫情影响较2019年下降7.1%；碳
化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子产值规模达人民币44.7亿元，年增54%；GaN微波射
频产值达到人民币60.8亿元，年增80.3%。
事实上，大陆第三代半导体企业包括中芯国际、韦尔股份、卓胜微、天科合达、同光晶体
、泰科天润、三安光电、英诺赛科等纷纷扩产，预告大陆第三代半导体产业开始进入扩张
期。
半导体产业专家、前汉磊科技总经理庄渊棋认为，美国在第三代半导体材料科学中，是遥
遥领先全世界，但在科技屡遭美国打压下，大陆必须要找出路，大陆内需市场大，行业初
期有国家补助，所以可以自成一套系统。
庄渊棋表示，目前半导体所使用的材料仍以硅为主，有制程成熟度高、成本低等优点，然
而在需耐高电压及高温、高功率、高频运作等应用场景，硅基半导体已面临极限，反而不
如第三代半导体材料的氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）产品表现优异。
庄渊棋解释，以碳化硅（SiC）来说，优势在于包括宽能隙、击穿电场强度大、电子饱和
移动速度快、热传导率快等，所以在严苛环境下也能稳定操作，尤其可以应用在5G、轨道
交通、太阳能、电动车等。
台湾经济研究院研究员刘佩真指出，第三代半导体材料助推功率半导体朝向高频、高功率
、轻量化发展，例如在电动车应用中，碳化硅（SiC）功率半导体相比于硅（Si）基器件
更可实现轻量化和高效率，而大陆半导体功率半导体业者正在加速布局此领域。