英特尔采用新战略──抛弃节点命名、采用两大开创性技术、强化晶圆代工服务，期望再
创高峰
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英特尔于 2021 年 7 月 26 日公布了至 2025 年的制程技术和封装技术蓝图。除了公布
其近十多年来，首个全新电晶体架构 RibbonFET 和业界首个全新的背部供电设计
PowerVia 之外，英特尔还重点介绍了迅速采用下一代 EUV 技术的计画，即高数值孔径（
High-NA）EUV。
为了摆脱英特尔制程技术落后台积电与三星的情况，其决定透过制程节点重新命名策略，
反应未来半导体技术的不再单纯以节点判断的定律。过去英特尔是以闸极长度为准作为命
名的方式，但随着半导体制程技术的进步与分歧，其推出了全新的制程节点命名方式，未
来将以‘Intel 7’、‘Intel 4’、‘Intel 3’ 以及‘Intel 20A’等作为新制程节点
的名称，颠覆了以奈米为主的技术蓝图模式。
换句话说，英特尔的最新命名体系，是基于客户看重的关键技术参数而提出的，包含：性
能、功率和面积。这对于未来十年，半导体将走向超越1奈米节点带来创新的命名方式。
英特尔描述了以下路线图，其中包含新节点名称和支持每个节点的创新：
基于 FinFET 电晶体优化，英特尔 7 与英特尔 10nm SuperFin 相比，每瓦性能提高了大
约 10% 到 15%。Intel 7 将在 2021 年用于客户端的 Alder Lake 和用于数据中心的
Sapphire Rapids 等产品中采用，预计将于 2022 年第一季度投入生产。
Intel 4 完全采用 EUV 微影机技术，使用超短波长光打印令人难以置信的小型化特征。
凭借每瓦性能约 20% 的提升以及面积的改进，Intel 4 将在 2022 年下半年投入生产，
用于 2023 年出货的产品，包括用于客户端的 Meteor Lake 和用于数据中心的 Granite
Rapids。
Intel 3 利用进一步的 FinFET 优化和增加的 EUV，与 Intel 4 相比，每瓦性能提高了
约 18%，并进一步改进了面积。Intel 3 将准备在 2023 年下半年开始制造产品。
Intel 20A 凭借 RibbonFET 和 PowerVia 两项突破性技术开启了埃时代。RibbonFET 是
英特尔实施的环栅电晶体（gate-all-around transistor），将成为该公司自 2011 年率
先推出 FinFET 以来的第一个新电晶体架构。该技术可提供更快的电晶体开关速度，同时
在占用更小的面积内实现与多个鳍片相同的驱动电流。PowerVia 是英特尔独特的业界首
创的背面供电实施方案，通过消除晶圆正面供电布线的需要来优化信号传输。Intel 20A
预计将在 2024 年推出。也获得与高通合作采用Intel 20A 技术。
2025 年及以后： 除了 Intel 20A，Intel 18A 已经在 2025 年初开发，对 RibbonFET
进行改进，并定义、构建和部署下一代高效NA EUV。英特尔正与 ASML 密切合作，以确保
在半导体行业领先当前 EUV 。
从历史来看，英特尔引领半导体产业从 90 奈米应变硅向 45 奈米高 K 金属栅极过渡，
并在 22 奈米时率先引入 FinFET。英特尔现今希望其凭借 RibbonFET 和 PowerVia 两大
开创性技术，让 Intel 20A 成为制程技术的另一个分水岭。
除此之外，英特尔正与 ASML 密切合作，将致力于定义、建构和部署下一代高数值孔径
EUV（High-NA EUV）。预计英特尔可望率先获得业界第一台的 High-NA EUV 光刻机，并
计画在2025年成为首家在生产中实际采用 High-NA EUV 的芯片制造商。
因此，除了高通将采用英特尔代工服务（IFS）之外，亚马逊的 AWS 将成为首个使用
IFS 封装解决方案的客户。未来是否有更多客户加入，将成为英特尔能否在晶圆代工领域
胜负的关键。
根据英特尔规划，其于 2023 年将交付 Foveros Omni 和 Foveros Direct 之外的其他先
进封装技术，将其在电子封装过渡到整合硅光子学的光学封装都成为领导者。并继续与
Leti、IMEC 和 IBM 在内的产业伙伴密切合作，进一步发展制程和封装技术。
从以上的种种动作，都表示著英特尔想要以重新定义以及在半导体技术的深度等方式来超
越台积电与三星，进而重新回到半导体制造第一的宝座。