GAA相关专利数量快速增长 台积电以31.4%居第一
https://bit.ly/3exOJEf
GAA 作为 FinFET 的改进而出现。韩国智财权局（KIPO）于 7 月 18 日宣布，近来与下
世代半导体制程技术 GAA（gate-all-around）技术相关的专利数量，正在快速增加。
在半导体行业，GAA 被认为是对 FinFET 改进的全环栅技术。两者的区别在 FinFET 在三
个表面上有电流通道，而 GAA 在四个表面上有电流通道。
FinFET 相关专利数量在 2017 年达到 1,936 件，去年(2020)下降到 1,508，而在此期间
，GAA 相关专利数量从 173 件增加到 381 件。
目前，台积电占 GAA 相关专利申请的 31.4%，其次是三星电子（20.6%）、IBM（10.2%）
和 GlobalFoundries（5.5%）。
台积电和三星电子之间的竞争可能会继续升温。三星电子计划从明年(2022)开始将 GAA
应用于其 3 奈米制程。台积电方面，计画预计 2023 年开始从 2 奈米采用 GAA 技术。
然而，良率可能还是问题关键。根据韩媒报导(2021.7.4)，三星电子在华城园区厂最先进
的 V1 线，仍存在良率难解问题，5 奈米产品的良率仍低于 50%。这可能与日本化学辅料
有关，由于日本对韩国实施半导体三项关键原料管制，造成三星在先进奈米制程的良率无
法提升。
对于半导体大厂而言，制程是技术，但良率才是其中的关键，初期能将良率维持在八成左
右已是非常困难的事情，而台积电的制程良率可以达到九成五以上，可见台湾在先进制程
技术水准在三星之上，而且良率高也代表创造获利及现金流。