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2021-05-08 01:20 联合报 / 记者简永祥／台北报导
国际商业机器公司（IBM）发表号称全球首创的二奈米芯片制造技术，工研院产科国际所
研究总监杨瑞临昨天表示，这印证环绕闸极技术（GAA）新结构的可行性，将可加速GAA量
产，是半导体业的大事；但预料离真正量产需须一段时间，台积电在全球代工地位应不会
动摇。
目前IBM二奈米仍还在试产阶段，证明比现今主流七奈米芯片，运算速度据信可快百分之
四十五，效能提高百分之七十五，但杨瑞临强调，由于离真正量产需须一段时间，相信这
段期间，台积电也会加速二奈米研发脚步，以台积电厚实的量产能力，一般预料全球主要
芯片厂仍会选择采用台积电的二奈米技术，不会轻易投片在取得IBM技术授权的代工厂。
目前三星已领先全球在三奈米率先导入GAA技术，台积电则决定在二奈米才导入，台积电
深信在三奈米延用鳍式场效电芯片，成本效益将远优于GAA。从台积电目前规画建置三奈
米产能已超过五奈米量产第一年的数量，未来甚至逐步扩大到每月十五万片产能，可看出
主要客户仍选定优先采用台积电三奈米，再推进至二奈米。
杨瑞临说，IBM发表的二奈米芯片制造技术，采用全新GAA架构，验证了GAA的可行性，将
可加速GAA的量产及商品化时程。至于IBM长期与三星合作，这次在二奈米技术获重大突破
，是否有助三星现有的三奈米制程发展，值得密切观察，不过目前台积电仍取得客户端信
赖优势。
台积电董事长刘德音今年二月受邀于二○二一年国际固态电路会议开场线上专题演说时说
，台积电三奈米制程今年下半年试产，明年下半年量产，进度提前；且和五奈米相较，逻
辑密度可提升一点七倍，运算速度提升百分之十一、运算功耗可减少百分之二十七。
台积电的二奈米研发也加速进行，未来生产基地位于新竹宝山，将规画四个旗舰厂，另在
中科厂旁也正觅地做为二奈米的扩大需求及未来一奈米的生产据点，制程推进不受IBM宣
称二奈米试产成功干扰。