德州仪器推出首款GaN FET 抢攻汽车及工业应用市场
https://bit.ly/35o2ZLC
德州仪器（TI）推出了标称电压为650 V和600 V的新一代氮化镓场效应晶体管（GaN FET），主要于汽车及工业应用。这些GaN FET系列具有整合快速开关2.2 MHz栅极驱动器，旨在帮助工程师将功率密度提高一倍、效率高达99％，且电磁尺寸缩小59％。
TI使用其专有的GaN材料和硅基氮化镓（GaN-on-Si）基板技术，研发最新场效应电晶体（FET），在成本与供应链方面均优于碳化硅等其他基板材质。
车辆电气化正在改变汽车行业，消费者对能够更快充电并进一步行驶的车辆的要求也越来越高。因此，工程师面临着在不损害车辆性能的前提下设计紧凑，轻便的汽车系统的挑战。TI表示，与现有的硅或SiC解决方案相比，使用其新型汽车GaN FET可以帮助将电动汽车（EV）车载充电器和DC / DC转换器的尺寸减少多达50％，例如：如5G电信整流器、服务器电源供应器。从而使工程师能够扩展电池范围，提高系统可靠性并降低设计成本。在工业设计中，新器件可在要求低损耗和减小电路板空间的AC / DC供电应用中实现高效率和高功率密度，
功率密度降低，设备数量减少
在高压，高密度应用中，最小化电路板空间是重要的设计考虑因素。随着电子系统变得越来越小，它们内部的组件也必须变得越来越小并且放在一起。TI的新型GaN FET集成了快速开关驱动器，内部保护和温度感应功能，使工程师能够在降低功耗的同时实现高性能，同时减少电源管理设计的电路板空间。该公司认为，这种集成以及TI GaN技术的高功率密度使工程师能够消除分立解决方案通常需要的10多个组件。此外，在半桥配置中使用时，每个新的30mΩFET均可支持高达4kW的功率转换。
PFC效率最高
GaN具有快速切换的优势。新型GaN FET采用TI的理想二极管模式以降低功耗。例如，在功率因子校正（PFC）中，理想的二极管模式与分立的GaN和SiC金属氧化物半导体FET（MOSFET）相比，可将三象限损耗降低多达66％。理想的二极管模式也消除了对自适应死区时间控制的需求，从而降低了固件复杂性和开发时间。
最大化热性能
TI GaN FET封装的热阻比最接近的竞争产品低23％，因此工程师可以使用更小的散热器，同时简化散热设计，并且可以从底部或顶部冷却的封装中进行选择。此外，FET的集成数位温度报告可实现主动电源管理，从而使工程师能够在变化的负载和工作条件下优化系统的热性能。