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标题: [新闻] 台积电 2 奈米 GAA 研发提前，三星弯道
时间: Mon Sep 21 14:38:29 2020
台积电 2 奈米 GAA 研发提前，三星弯道恐难超车
作者 黄 敬哲 | 发布日期 2020 年 09 月 21 日 8:58 | 分类 晶圆 , 芯片 , 零组件
消息指出，台积电 2 奈米制程研发，现已离开寻找路径阶段，进入交付研发，且法人预
期 2023 年下半即可风险性试产。
台积电去年就成立 2 奈米专案研发团队，在考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现
等多项条件下来寻找可行路径，如今台积电虽然仍没有公布细节，但已表示将会是全新
架构。而据供应链消息透露，台积电 2 奈米即将改采全新的 GAA 基础，使用多桥通道
场效电晶体（MBCFET）架构。
这是由于 3 奈米已达 FinFET 技术的瓶颈，会出现制程微缩产生电流控制漏电的物理极
限问题，就算有 EUV 技术加持，但 2 奈米势必要转换跑道。虽然三星提早在 3 奈米就
打算采用 GAA ，意图在此技术上弯道超车台积电，但台积电研发多年的奈米片（Nano
Sheet）堆叠关键技术，及 EUV 运用经验，将能使良率提升更顺利。
所以不少法人预期，若 2 奈米在 2023 年即能投产，三星就算在弯道恐怕也超不了车。
就目前台积电所公布的制程推进现况来看，采用 EUV 的 5 奈米良率已快速追上 7 奈米
，显见台积电在良率提升上的底蕴，甚至有业界人士预期风险试产良率即可到 9 成。三
星虽提前量产 3 奈米 GAA，但在性能上未必能压过台积电，而 GAA 良率上的落差可能
也不会如预期般明显，且据传 2 奈米背后还有苹果的研发能量支持。
不过未来半导体制程将会更加竞争，不仅是三星，英特尔的 SuperFin 技术也不可小觑
，虽然奈米节点时程落后，但实际性能并不真的多差。早有舆论认为，台积电及三星的
制程竞逐，很多只是数字游戏，而英特尔其实相对踏实，就实际电晶体密度等指标来看
，新的英特尔 10 奈米强化版已接近台积电 5 奈米，是非常大的单一节点升级。
只要英特尔也敢忍痛杀价，SuperFin 仍然很有高阶市场的竞争力，就如同三星 8 奈米
已打出成绩一般，台积电虽然还占有优势，但仍不能轻敌。目前台积电已表示，未来 2
奈米研发生产将落脚新竹宝山，将规划建设 4 个超大型晶圆厂，将成为下一轮半导体大
战主力。
（首图来源：科技新报）
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