为先进逻辑制程与新款内存生产助攻，应材推出新款蚀刻系统
https://technews.tw/2020/08/10/sym3-y-for-applied-materials/
https://i.imgur.com/pn33GOF.jpg
近来，由于先进逻辑制程与新款内存的应用已成为当前半导体产业发展的重心，而为了
满足产业界的需求，全球最大半导体设备供应商美商应材（Applied Materials）推出了
全新蚀刻系统 Sym3 Y，能用于 3D NAND、DRAM 与代工逻辑节点的关键导体蚀刻应用。应
材指出，Sym3 Y 目前已出货 5,000 个反应室，是应材史上量产最快速的产品，为协助客
户打造先进内存与逻辑芯片更下一城。
应材表示，极成功的 Centris Sym3 蚀刻产品系列加入一项新产品，能帮助芯片制造商精
准图形化，在尖端内存芯片与逻辑芯片打造尺寸体积更小的功能。而全新的 Centris S
ym3 Y 就是应材最尖端的导体材料蚀刻系统，运用创新的射频脉冲技术，依据客户需求提
供非常高的材料选择比、深度控制与轮廓控制，在 3D NAND、DRAM 与逻辑芯片打造最密
堆叠的高深宽比结构，包括 FinFET（鳍式电晶体）和新型的闸极全环（gate-all-around
）架构。
在过往 Sym3 产品系列有一项独特的技术特色是高传导反应室架构，能快速且有效地清空
蚀刻副产物，这些副产物会随着每片晶圆通过时逐渐累积。而 Sym3 Y 系统延伸这项成功
的架构的优势，运用专用的全新涂层材料来保护反应室关键的元件，进而减少缺陷，提升
良率。这使得 Sym3 蚀刻系统自 2015 年推出以来，已成为应材史上量产最快速的产品，
公司才刚出货第 5,000 个反应室。
应材进一步指出，Sym3 产品系列是应材策略成功的关键，提供客户打造与材料图形化的
新方法，协助推出新颖 的3D 结构，以及持续微缩 2D 结构的新方法。应材运用独特的 C
VD 图形化薄膜，与 Sym3 系统进行共同最佳化，促进客户增加 3D NAND 内存元件的层
数，并减少四重图形化在 DRAM 应用层所需的步骤。并结合应材的尖端电子束检测技术一
同布署应用，希望加速业界最先进节点的研发及高产能的生产，协助客户改善芯片功率、
性能、面积成本及上市时间（PPACt）。
新的每组 Sym3 Y 系统包含多个蚀刻与电浆清洗晶圆制程反应室，由系统智慧管控，确保
制程所有反应室都精准吻合，能持续得到相同成果和高产能。这项全新系统已为全球多家
领先的 NAND、DRAM 与代工逻辑客户采用。
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